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» 2022年04月14日 13時00分 公開

32T32R無線子局向けGaN RFパワートランジスタNXP GaN RFパワーディスクリートソリューション

NXPセミコンダクターズは、32T32Rタイプの無線子局向けGaN RFパワーディスクリートソリューションを発表した。32T32Rソリューションは、従来の64T64Rタイプと同一パッケージながら、アンテナ平均出力が倍増している。

[EDN Japan]

 NXPセミコンダクターズは2022年3月、32T32Rタイプの無線子局向けGaN RFパワーディスクリートソリューションを発表した。

GaN RFパワーディスクリートソリューション 出所:NXPセミコンダクターズ

 新しい32T32Rソリューションは、2.3G〜4.0GHzの全セルラー周波数帯に対応。これにより、同社が提供する64T64Rタイプの無線子局向けGaNディスクリートソリューションと合わせて、マッシブMIMO(多入力多出力)の5G(第5世代移動通信)無線向け製品群を拡張した。

同一パッケージでアンテナ平均出力が倍増

 32T32Rソリューションは、64T64Rタイプと同じパッケージを採用しており、ピン互換性を有する。同じパッケージで、320W無線子局向けのアンテナ平均出力が10Wとなっており、64T64Rタイプの5Wから倍増した。5G通信基地局の小型化、軽量化に寄与する。

 ドレイン効率は、320W無線子局向けで最大58%となる。ドライバおよび最終段トランジスタが付属する。

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