32T32R無線子局向けGaN RFパワートランジスタ：NXP GaN RFパワーディスクリートソリューション

NXPセミコンダクターズは、32T32Rタイプの無線子局向けGaN RFパワーディスクリートソリューションを発表した。32T32Rソリューションは、従来の64T64Rタイプと同一パッケージながら、アンテナ平均出力が倍増している。

» 2022年04月14日 13時00分公開

[EDN Japan]

　NXPセミコンダクターズは2022年3月、32T32Rタイプの無線子局向けGaN RFパワーディスクリートソリューションを発表した。

GaN RFパワーディスクリートソリューション出所：NXPセミコンダクターズ

　新しい32T32Rソリューションは、2.3G～4.0GHzの全セルラー周波数帯に対応。これにより、同社が提供する64T64Rタイプの無線子局向けGaNディスクリートソリューションと合わせて、マッシブMIMO（多入力多出力）の5G（第5世代移動通信）無線向け製品群を拡張した。

同一パッケージでアンテナ平均出力が倍増

　32T32Rソリューションは、64T64Rタイプと同じパッケージを採用しており、ピン互換性を有する。同じパッケージで、320W無線子局向けのアンテナ平均出力が10Wとなっており、64T64Rタイプの5Wから倍増した。5G通信基地局の小型化、軽量化に寄与する。

　ドレイン効率は、320W無線子局向けで最大58％となる。ドライバおよび最終段トランジスタが付属する。

5G Massive MIMO設備向けプリドライバとRX FEM
NXPセミコンダクターズは、5G要素技術のMassive MIMO設備の消費電力とシステムコストを低減するプリドライバ「BTS6302U」「BTS 6201U」と、デュアルチャンネル受信フロントエンドモジュール「BTS7203」「BTS7205」を発表した。
5Gセルラー基地局向けRF MCM
NXPセミコンダクターズは、5Gセルラー基地局向けのRFパワーマルチチップモジュール10種を発表した。同社最新のLDMOS技術と統合設計技術を採用しており、前世代品と同じフットプリントで、より高い出力や効率、より広い周波数帯を提供する。
商用、産業用のRF LDMOSトランジスタを追加
STマイクロエレクトロニクスは、RF LDMOSパワートランジスタ製品に「IDCH」「IDDE」「IDEV」の3シリーズ合計30品種を追加した。商用および産業用のRFパワーアンプ向けとなっている。
スマート産業向け65V LDMOS RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、スマート産業向けのRFパワートランジスタ、65V LDMOS製品「MRFX」シリーズの新たなラインアップ「MRFX1K80N」「MRFX600H」「MRFX035H」を発表した。
汎用パッケージを採用したRFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、汎用的なTO-220、TO-247パワーパッケージを採用したRFパワートランジスタ「MRF101AN」「MRF300AN」を発表した。筐体への垂直実装やプリント配線板（PCB）裏面への実装が可能で、ヒートシンクも簡素化できる。
高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用するドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz～3600MHzの周波数をカバーする。