GaN FETの特性：GaNパワー半導体入門（2）（3/4 ページ）

» 2022年08月10日 10時00分公開

[小寺一史（STマイクロエレクトロニクス），EDN Japan]

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GaN FETの高速スイッチング、その実力を見る

　次に、1MHz時のそれぞれの波形を図5に表す。

図5：各素子のスイッチング波形（1MHz）［クリックで拡大］

　図5をみると、GaN FETのゲート波形以外は、全てゲート電圧が立ち上がり直後もしくはまだその途中にあることがあきらかであり、GaN FETのスイッチング性能が極めて高いことが分かる。実際にGaN FETの立ち上がり時間波形を拡大してみても（図6）、10ナノ秒程度の立ち上がり時間とみることができる。また、ターゲットのゲート総電荷量（Qg）は6nCになる。このことからも、GaN FETの高速スイッチングの実力が分かる。