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» 2023年06月21日 09時00分 公開

逆接続保護、逆電流防止向け理想ダイオードIC新電元工業 MF2003SV

新電元工業は、逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「V-Diode MF2003SV」を発売した。同社従来品に比べ、導通損失が55%、温度上昇が37%、導通時の電圧降下が38%低減している。

[EDN Japan]

 新電元工業は2023年5月、逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「V-Diode MF2003SV」を発売した。車載用メーターなど表示向けECUやADAS向けのECU、自動運転関連のECU、ORingを要する機器の入出力部などで利用できる。

逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「MF2003SV」 逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「MF2003SV」 出所:新電元工業

PチャンネルMOSFETにより導通損失、温度上昇を低減

 MF2003SVは、PチャンネルMOSFETを採用。同社従来品に比べ、導通損失が55%、温度上昇が37%、導通時の電圧降下が38%低減している。無負荷時の消費電流は最大3μAで、車両停車時のバッテリーによる放電を抑制できる。また、クランキング対策により、入力電圧が低い場合もPチャンネルMOSFETをONにできる。

損失、温度上昇を低減 損失、温度上昇を低減 出所:新電元工業

 アクティブクランプ機能を搭載していて、入力側の急な変動による負サージ電圧に対して、PチャンネルMOSFETを保護する。42V耐圧で、ロードダンプ試験に適する。動作電圧は2.5〜40V、平均電流は5A。車載電子部品規格「AEC-Q100」に準拠した。

 パッケージは、ウェッタブルフランク対応のWSON8を採用。サイズは4×4mmで、従来品と比較して実装面積が75%縮小した。

同社従来品とのパッケージサイズ比較 同社従来品とのパッケージサイズ比較 出所:新電元工業

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