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逆接続保護、逆電流防止向け理想ダイオードIC：新電元工業 MF2003SV

新電元工業は、逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「V-Diode MF2003SV」を発売した。同社従来品に比べ、導通損失が55％、温度上昇が37％、導通時の電圧降下が38％低減している。

» 2023年06月21日 09時00分公開

[EDN Japan]

　新電元工業は2023年5月、逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「V-Diode MF2003SV」を発売した。車載用メーターなど表示向けECUやADAS向けのECU、自動運転関連のECU、ORingを要する機器の入出力部などで利用できる。

逆接続保護や逆電流防止向けの理想ダイオードIC「MF2003SV」出所：新電元工業

PチャンネルMOSFETにより導通損失、温度上昇を低減

　MF2003SVは、PチャンネルMOSFETを採用。同社従来品に比べ、導通損失が55％、温度上昇が37％、導通時の電圧降下が38％低減している。無負荷時の消費電流は最大3μAで、車両停車時のバッテリーによる放電を抑制できる。また、クランキング対策により、入力電圧が低い場合もPチャンネルMOSFETをONにできる。

損失、温度上昇を低減出所：新電元工業

　アクティブクランプ機能を搭載していて、入力側の急な変動による負サージ電圧に対して、PチャンネルMOSFETを保護する。42V耐圧で、ロードダンプ試験に適する。動作電圧は2.5～40V、平均電流は5A。車載電子部品規格「AEC-Q100」に準拠した。

　パッケージは、ウェッタブルフランク対応のWSON8を採用。サイズは4×4mmで、従来品と比較して実装面積が75％縮小した。

同社従来品とのパッケージサイズ比較出所：新電元工業

定格電流40Aのブリッジダイオード
新電元工業は、ブリッジダイオード「D40XB100」を発表した。定格電流40A、1000V耐圧で、大電力化が進む大型エアコンなどに適する。
三相交流入力の整流回路用ダイオードモジュール
新電元工業は、三相交流入力の整流回路向けダイオードモジュール「MG038」シリーズに、1600V耐圧の「MG038C」「MG038D」を追加した。400V入力機器に対応し、産業用ロボットシステムなどのコンバーター回路に適する。
AEC-Q101に準拠、650V SiCショットキーダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる、650VのSiCショットキーダイオード17種を発表した。埋め込み型のMPS構造を新たに採用し、前世代品比で順方向電圧降下が0.3V低減したほか、性能指数も17％低減している。
外部保護回路不要、SiCショットキーダイオード
ネクスペリアは、電力変換用途向けの650V SiCショットキーダイオード「PSC1065K」を発表した。高電圧、大電流対応の産業グレード品で、高性能、低損失、高効率が求められる電力変換アプリケーションに対応する。
電圧および電流の測定機能を搭載したSMU
テクシオ・テクノロジーは、電圧および電流の測定機能を搭載したソースメジャーユニット「GSM-20H10」の販売を開始した。高精度の直流定電圧源、定電流源と、高分解能の電圧、電流、抵抗測定機能を備える。