ロームは、GaN(窒化ガリウム)パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
ロームは2023年7月、GaN(窒化ガリウム)パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を発表した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバーなどを1パッケージ内に搭載する。同年6月より量産を開始していて、サンプル価格は1個当たり4400円(税込)だ。
駆動電圧範囲が2.5〜30Vと広く、1次電源におけるさまざまなコントローラーICに対応するため、シリコンMOSFETから容易に置き換えられる。シリコンMOSFETと比較して、部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
入力電圧範囲が−0.6〜+30V、電源端子電圧が6.25〜30V、動作温度範囲が−40〜+105℃、ターンオフ遅延時間が15ナノ秒。電源端子動作電流は、BM3G015MUV-LBが450μA、BM3G007MUV-LBが650μAとなった。
パッケージは8.0×8.0×1.0mmのVQFNを採用した。また、評価ボードも3種用意していて、オンラインショップで購入できる。白物家電、ACアダプター、PCなどの民生機器や、サーバ、OA機器といった産業機器用途に適する。
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