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高出力パッケージ採用の車載向けMOSFET：インフィニオン OptiMOS 5

インフィニオンテクノロジーズは、60Vおよび120Vの車載向けMOSFET「OptiMOS 5」シリーズに、高出力パッケージを採用した6製品を追加した。ゲートしきい値電圧を狭小化していて、並列MOSFETを用いた設計が可能だ。

» 2023年09月27日 09時00分公開

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2023年8月、60Vおよび120Vの車載向けMOSFET「OptiMOS 5」シリーズに、高出力パッケージ「TOLL」「TOLG」「TOLT」を採用した6製品を追加したと発表した。既にサンプル品の受注を開始している。

TOLxパッケージを採用した車載向けMOSFET「OptiMOS 5」シリーズ出所：インフィニオンテクノロジーズ

並列MOSFETを用いた設計に対応

　今回追加した製品は、60V品の「IAUTN06S5N008」「IAUTN06S5N008G」「IAUTN06S5N008T」と、120V品「IAUTN12S5N017」「IAUTN12S5N018G」「IAUTN12S5N018T」の6つとなっている。いずれもゲートしきい値電圧を狭小化していて、並列MOSFETを用いた設計が可能。電力の出力性能を改善する。

　オン抵抗は、60V品が0.8mΩ、120V品は1.7～1.8mΩ。60V品は、24V供給のCAV（定風量制御装置）用途やxEV（電動車）向けのHV-LV DC-DCコンバーター用途に適する。120V品は、二輪および三輪自動車や小型電気自動車向けの48～72V給電トラクションインバーターで利用できる。

2kW以上に対応する第4世代のパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。
2200V耐圧デュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。
車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始した。新型パッケージ「S-TOGL」を採用している。
自己保護MOSFET内蔵5Vロードスイッチ
Nexperiaは、5Vロードスイッチ「NPS4053」を発表した。自己保護MOSFETを搭載していて、負荷への電力の流れを管理できる。プログラム可能な電流制限回路も内蔵している。
低オン抵抗の100V耐圧デュアルMOSFET
ロームは、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。