2kW以上に対応する第4世代のパワーMOSFET：ビシェイ SiHP054N65E

ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2023年8月、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。既にサンプル品と製品を提供していて、サーバやエッジコンピューティング、データストレージ、UPS（無停電電源装置）などの用途に適する。

第4世代パワーMOSFET「SiHP054N65E」 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

0.051Ωの低い標準オン抵抗

　標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。ゲート電荷は72nC。同社の前世代品に比べ、オン抵抗は48.2％、オン抵抗とゲート電荷の積（FOM）は59％低減している。

　テレコム電源用途におけるピーク効率は96％。実効容量（エネルギー換算）は115pF、実効容量（時間換算）は772pFとなる。オン抵抗と実効容量（エネルギー換算）の積のFOMは5.87ΩpFだ。

　TO-220ABパッケージで提供され、RoHSに準拠したハロゲンフリー品となる。同社の「グリーン標準」にも適合し、アバランシェモードで過渡過電圧に耐えるように設計されている。