2kW以上に対応する第4世代のパワーMOSFET:ビシェイ SiHP054N65E
ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。
ビシェイ・インターテクノロジーは2023年8月、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。既にサンプル品と製品を提供していて、サーバやエッジコンピューティング、データストレージ、UPS(無停電電源装置)などの用途に適する。
第4世代パワーMOSFET「SiHP054N65E」 出所:ビシェイ・インターテクノロジー
標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。ゲート電荷は72nC。同社の前世代品に比べ、オン抵抗は48.2%、オン抵抗とゲート電荷の積(FOM)は59%低減している。
テレコム電源用途におけるピーク効率は96%。実効容量(エネルギー換算)は115pF、実効容量(時間換算)は772pFとなる。オン抵抗と実効容量(エネルギー換算)の積のFOMは5.87ΩpFだ。
TO-220ABパッケージで提供され、RoHSに準拠したハロゲンフリー品となる。同社の「グリーン標準」にも適合し、アバランシェモードで過渡過電圧に耐えるように設計されている。
- ターンオフ回路内蔵、太陽光発電MOSFETドライバー
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載向けの太陽光発電MOSFETドライバー「VOMDA1271」を発表した。ターンオフ回路を備えていて、ターンオフ時間が標準0.7ミリ秒、ターンオン時間が0.05ミリ秒となっている。
- AEC-Q101に準拠、650V SiCショットキーダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる、650VのSiCショットキーダイオード17種を発表した。埋め込み型のMPS構造を新たに採用し、前世代品比で順方向電圧降下が0.3V低減したほか、性能指数も17%低減している。
- ウェッタブルフランク対応、200Vダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、ウェッタブルフランク対応の薄型パッケージを採用した、200Vダイオード「VS-1EAH02xM3」「VS-2EAH02xM3」「VS-3EAH02xM3」「VS-5EAH02xM3」を発表した。
- 標準ダイオードとTVSを統合した車載向け製品
ビシェイ・インターテクノロジーは、標準ダイオードとTVSを統合した車載向け製品「R3T2FPHM3」を発表した。2種のチップを備えたことで、PCBへの実装面積の縮小や設計の簡素化などに寄与する。
- 2種の30V対称型デュアルMOSFET、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの対称型デュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」を発表した。3.3×3.3mmのパッケージを採用していて、同社従来品と比較して基板面積を63%削減できる。
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