車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：東芝 XPJR6604PB、XPJ1R004PB

東芝デバイス＆ストレージは、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始した。新型パッケージ「S-TOGL」を採用している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年8月、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始したと発表した。

40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　サイズ7.0×8.44mmの新型パッケージ「S-TOGL」を採用。同パッケージは、チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造となっている。また、ソース端子を多ピン化していて、パッケージ抵抗が低減した。高密度でコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献する。

　S-TOGLパッケージと同社の「U-MOSIX-H」プロセスの組み合わせによって、「TO-220SM（W）」をパッケージに用いた同社の既存製品と比較し、オン抵抗が約11％減少したほか、実装面積も約55％縮小した。

ドレイン抵抗が最大200A

　ドレイン抵抗がXPJR6604PBで200A、XPJ1R004PBで160Aとそれぞれ大きく、大電流の通電が可能だ。S-TOGLパッケージは実装応力を緩和するガルウイングリード形状によって、基板実装はんだの接合信頼性向上に寄与する。

　車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠し、インバーターやロードスイッチ、半導体リレー、モータードライブといった車載機器での用途に適する。なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品にも対応している。