車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET:東芝 XPJR6604PB、XPJ1R004PB
東芝デバイス&ストレージは、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始した。新型パッケージ「S-TOGL」を採用している。
東芝デバイス&ストレージは2023年8月、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始したと発表した。
40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」 出所:東芝デバイス&ストレージ
サイズ7.0×8.44mmの新型パッケージ「S-TOGL」を採用。同パッケージは、チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造となっている。また、ソース端子を多ピン化していて、パッケージ抵抗が低減した。高密度でコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献する。
S-TOGLパッケージと同社の「U-MOSIX-H」プロセスの組み合わせによって、「TO-220SM(W)」をパッケージに用いた同社の既存製品と比較し、オン抵抗が約11%減少したほか、実装面積も約55%縮小した。
ドレイン抵抗がXPJR6604PBで200A、XPJ1R004PBで160Aとそれぞれ大きく、大電流の通電が可能だ。S-TOGLパッケージは実装応力を緩和するガルウイングリード形状によって、基板実装はんだの接合信頼性向上に寄与する。
車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠し、インバーターやロードスイッチ、半導体リレー、モータードライブといった車載機器での用途に適する。なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品にも対応している。
- 150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET、東芝
東芝デバイス&ストレージは、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。ドレインソース間のオン抵抗や逆回復電荷量などが低減している。
- 高放熱型パッケージの車載向けパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。従来品に比べてパッケージ抵抗が約70%減少した。
- 低オン抵抗の150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。オン抵抗が最大9.0mΩと低く、素子構造を最適化することでオン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善している。
- 低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。
- 低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。
- 48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
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