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低オン抵抗の100V耐圧デュアルMOSFET：ローム HP8KEx、HT8KEx、HP8MEx

ロームは、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。

» 2023年08月23日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ロームは2023年8月、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。HSOP8またはHSMT8パッケージで提供する。月産100万個体制で量産を開始していて、サンプル価格は550円（税別）。

100V耐圧デュアルMOSFET「HP8KEx」「HT8KEx」「HP8MEx」シリーズ出所：ローム

面積を77％削減

　2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。シングルMOSFETを2つ用いる場合に比べ、例えばHSOP8パッケージ品では面積を77％削減できる。

面積比較出所：ローム

　サイズは、HSOP8が5.0×6.0×1.0mm、HSMT8が3.3×3.3×0,8mm。裏面放熱パッケージの採用により、オン抵抗を抑えた。Nch＋Nchの場合、オン抵抗はHSOP8パッケージ品で19.6mΩ、HSMT8パッケージ品で57.0mΩとなる。一般品と比較すると、オン抵抗を最大56％低減可能だ。

オン抵抗比較出所：ローム

　主な用途として、通信基地局向けやFA機器などの産業機器向け、データセンターなどのサーバ向けファンモーターを見込む。同社は今後、40／60／80／150V品を順次提供する予定だ。

従来比78％の小型化、VCSEL搭載の小型近接センサー
ロームは、VCSELを搭載した小型近接センサー「RPR-0720」を開発した。同社従来品と比較して約78％小面積化し、リチウムイオンバッテリー使用時の周辺昇圧回路が不要となった。
GaN HEMT採用パワーステージIC
ロームは、GaN（窒化ガリウム）パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できる。
消費電力を約20％低減、42V耐圧の車載向けホールIC
ロームは、車載向け高耐圧ホールICとして、単極検出タイプの「BD5310xG-CZ」シリーズと、交番検出タイプの「BD5410xG-CZ」シリーズを発表した。42V耐圧で、動作電圧範囲は2.7～38Vとなる。
実装面積を最大84％削減、車載液晶向けLEDドライバー
ロームは、大型ディスプレイに対応した車載液晶バックライト向けLEDドライバーIC「BD94130xxx-M」を開発した。1つのICで制御できるエリア数が多く、LEDドライバーの実装面積や搭載数を削減できる。
車載インテリア用RGBチップLED、色ばらつきを低減
ロームは、車載インテリア向けのRGBチップLED「SMLVN6RGBFU」を発表した。RGB素子の発光特性を細かく制御し、混色性を高めて色ばらつきを低減したことで、アプリケーションの正確な色表現が可能になった。