2200V耐圧デュアルSiC MOSFETモジュール：東芝 MG250YD2YMS3

東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年8月、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。

デュアルSiC MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

導通損失やスイッチング損失を抑制

　太陽光発電やエネルギー貯蔵システムは、主にDC1000V以下で使用されていたが、今後はDC1500Vの使用が見込まれる。MG250YD2YMS3はDC1500Vに対応可能で、ドレインソース間のオン電圧（センス端子）が0.7Vと低く、導通損失が低減している。

　ターンオンスイッチング損失は14mJ、ターンオフスイッチング損失は11mJ（いずれもV_DD1100V、I_D250A、Tch150℃の場合）。一般的なSi IGBTモジュールと比較して、スイッチング損失が約90％低減した。

　スイッチング損失を抑えたことで、従来の3レベル回路ではなく、モジュール搭載数が少ない2レベル回路を構成することも可能だ。また、寄生インダクタンスも12nHに抑えている。