性能指数3.1Ω×nCの600V耐圧 小型パワーMOSFET：従来パッケージよりも50.8％小型化

ビシェイ・インターテクノロジーは、PowerPAK 8×8LRパッケージの第4世代600V EシリーズパワーMOSFET「SiHR080N60E」を発表した。従来のD2PAKパッケージよりも小さいフットプリントで、より高い電流を提供する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2024年5月、PowerPAK 8×8LRパッケージの第4世代600V EシリーズパワーMOSFET「SiHR080N60E」を発表した。既に、サンプルおよび製品の提供を開始している。

第4世代600V EシリーズパワーMOSFET「SiHR080N60E」 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

　SiHR080N60Eは、エネルギー効率の高いEシリーズスーパージャンクション技術を採用しており、標準オン抵抗が10Vで0.074Ω、ゲート電荷が42nCとなる。性能指数（FOM）は3.1Ω×nCで、導通およびスイッチングの損失を抑え、2kW以上の電力システムにおいてエネルギーを節約して効率を向上する。

　標準有効出力キャパシタンスは、Co（er）が79pF、Co（tr）が499pFで、ハードスイッチングトポロジーのスイッチング性能を高める。

従来パッケージよりも50.8％小さなフットプリント

　PowerPAK 8×8LRパッケージは、10.42×8×1.65mmと小型で、従来のD²PAKパッケージよりもフットプリントが50.8％小さく、高さは66％低くなっている。同パッケージのガルウイングリードは、優れた温度サイクル特性を発揮する。

　また、トップサイド冷却により優れた熱性能を示し、ジャンクションとケース（ドレイン）の熱抵抗を0.25℃/Wに抑える。これにより、同等のオン抵抗レベルでD²PAKよりも電流が46％高くなり、高い電力密度を得られる。

　主な用途として、サーバ、データストレージ、UPS、高強度放電ランプ、蛍光灯バラスト照明、テレコムSMPS、ソーラーインバーター、溶接機器、モータードライブ、バッテリー充電器などを見込む。