オン抵抗を0.71mΩまで低減した30V NチャネルパワーMOSFET：ビシェイ SiSD5300DN

ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの「NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET」の製品として「SiSD5300DN」を発表した。ソースフリップ技術を用いた3.3×3.3mmサイズのPowerPAK1212-Fパッケージで提供する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2024年2月、30Vの「NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET」の製品として「SiSD5300DN」を発表した。性能指数FOM（オン抵抗と容量成分の積）が42mΩ×nCと従来比で35％改善し、電力変換アプリケーションで省エネに貢献する。

　スイッチング面積を最小化し、トレースノイズの影響を軽減した。ソースパッドの寸法が4.13mm²と従来品「SiSS54DN」の約10倍に増加し、熱性能を向上させている。単層プリント基板上で、複数のデバイスを並列に接続できる。

30 V n-チャネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSD5300DN」 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

高電力密度と熱性能の向上

　ソースフリップ技術を用いた、3.3×3.3mmサイズのPowerPAK1212-Fパッケージで提供する。従来品と同じ面積で、電力密度を向上させるために、10Vで0.71mΩという18％低いオン抵抗を有し、熱抵抗を63℃/Wから56℃/Wに減少している。

　ソースフリップ技術は、通常のグランドパッドとソースパッドの比率を逆転させた構造だ。グランドパッドの面積を拡大して、より効率的な放熱経路を設けることで冷却効果を高めた。

　二次整流、アクティブクランプバッテリーマネジメントシステム、降圧コンバーター、BLDC（ブラシレスDC）コンバーター、OR-ing FET、モータードライブ、ロードスイッチといった幅広い用途に適する。