マイクロプロセッサを使用したシステム、基板レイアウト作成時の重要ポイントは:マイクロプロセッサQ&Aハンドブック(4)(6/6 ページ)
DDRのメモリの配線を考える際、配線を表6のようにグループ分けして考えます。これらの配線長は、マイクロプロセッサのパッケージ内の配線長を考慮する必要があります。STM32MP13シリーズでは、配線長をチェックするためのExcelシートを”STM32MP13x Series DDR memory routing guidelines examples”で提供していますので、これを使用して、配線長が妥当かどうかを確認できます。
分類 |
DDRメモリの信号名 |
配線長さの許容差 |
アドレス・コマンド信号 |
クロック信号: CLK_N CLK_P |
- |
|
その他: A0-15 BA0-2 CASN CKE CSN ODT RASN WEN |
クロック信号(CLK_N,CLK_P)との配線長の差分 -1.016〜0mm |
データ信号Byte0 |
ストローブ信号: DQS0_N DQS0_P |
クロック信号(CLK_N,CLK_P)との配線長の差分 -14.986〜0mm |
その他: DQ0-7 DQM0 |
ストローブ信号(DQS0_N,DQS0_P)との配線長の差分 -1.016〜+1.016mm |
データ信号Byte1 |
ストローブ信号: DQS1_N DQS1_P |
クロック信号(CLK_N,CLK_P)との配線長の差分 -14.986〜0mm |
DQ8-15 DQM1 |
ストローブ信号(DQS1_N,DQS1_P)との配線長の差分 1.016〜+1.016mm |
表6:STM32MP13シリーズのDDRメモリ配線長のグループ分け |
基板表層の銅箔部の代表的な表面処理方法には、ENIG、OSP、HASLなどがあります。マイクロプロセッサなど非常に狭いピッチのコンポーネントを実装する場合には、平たん度が悪いHASLは適さず、ENIGやOSPなどが推奨されます。
基板の表面仕上げ |
平たん度 |
保管可能期間 |
コスト |
ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) |
◎ |
長い(1年程度) |
高 |
OSP(Organic Solderability Preservative) |
◎ |
短い(半年程度) |
低 |
HASL(Hot Air Solder Leveling) |
△ |
長い(1年程度) |
低 |
表7:代表的な基板の表面処理の比較 |
- アプリケーションノートAN5474 Getting started with STM32MP13x lines hardware development
- アプリケーションノートAN5692 DDR memory routing guidelines for STM32MP13x product lines
- STM32MP13x Series DDR memory routing guidelines examples:https://www.st.com/resource/en/hw_model/stm32mp13x-series-ddr-memory-routing-guidelines-examples.zip
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