【問題】GaNパワートランジスタの特長は? : クイズで学ぶ! 半導体の基礎知識 (2/2 ページ)
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TSMCのGaN撤退が示唆すること
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。これは、GaNパワーデバイスのビジネスモデルにとって何を意味しているのか。
新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体」
「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体材料」に関するおすすめをまとめました。
GaN FETの特性
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体であるGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第2回である今回は、GaN FETの特徴であるスイッチングスピードに関して、他の素子と比較しながら解説する。
急成長するSiCとGaNパワー半導体、その現状を知る
急激な成長を遂げるSiC(炭化ケイ素)およびGaN(窒化ガリウム)パワー半導体について、基本的な設計技術や製造方法、ターゲット用途などの現状を説明する。
GaNパワートランジスタとは
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。
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