「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

PCIM Europe 2024：
ミネベアパワーデバイス、EV向けSiCパワーモジュール開発品を初公開
ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。（2024/6/27）

電力密度は一般品の1.5倍：
xEV用インバーターを小型化する2in1 SiCモールドタイプモジュール
ロームは、2in1仕様のSiC（炭化ケイ素）モールドタイプモジュール「TRCDRIVE pack」シリーズを開発した。同社の第4世代SiC MOSFETを採用し、300kWまでのxEV向けトラクションインバーターに対応する。（2024/6/27）

インフィニオンの「CoolSiC」：
効率99.5％を実現　400V耐圧のSiCパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、第2世代のCoolSiC（炭化ケイ素）技術を採用した、SiCパワーMOSFET「CoolSiC MOSFET 400V」ファミリーを発表した。高い電力密度と効率を実現した。（2024/6/25）

ソフトウェアモジュールも提供：
AEC-Q100準拠の車載充電モジュール向けソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、車載充電モジュール向けのソリューションを発表した。デジタルシグナルコントローラー「dsPIC33C」、絶縁型SiC（炭化ケイ素）ゲートドライバ「MCP14C1」、D2PAK-7L XLパッケージを採用した「mSiC MOSFET」が含まれる。（2024/6/24）

耐電圧3.3kV：
低電流領域のSBD内蔵SiC-MOSFETモジュール
三菱電機は、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、定格電流400Aの「FMF400DC-66BEW」と同200Aの「FMF200DC-66BE」を発売した。鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けで、耐電圧はいずれも3.3kVだ。（2024/6/20）

負電圧レギュレーターを内蔵：
SiC MOSFETの駆動に特化したローサイドゲートドライバー
リテルヒューズは、SiC（炭化ケイ素） MOSFETおよびIGBTの駆動に特化した、ローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズを発表した。負電圧レギュレーターを内蔵し、dV/dt耐性とターンオフの高速化に対応した。（2024/6/18）

1世代ごとにオン抵抗30％削減：
「2年ごとに新世代を投入」ロームがSiC MOSFET開発を加速、25年の第5世代以降
ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。（2024/6/12）

深さの異なるバリア構造を導入：
東芝D＆S、SBD内蔵SiC MOSFETのオン抵抗を低減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い信頼性と短絡耐久性を維持しながら、低オン抵抗を実現した「SBD内蔵SiC（炭化ケイ素）MOSFET」を開発した。深さの異なるバリア構造を導入することで実現した。（2024/6/5）

オン抵抗は30／40／60／80mΩを用意：
D2PAK-7パッケージの1200V耐圧 SiC MOSFET
ネクスペリアは、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFET「NSF0xx120D7A0」を発表した。3ピンおよび4ピンのTO-247パッケージ品に続く製品で、オン抵抗は30、40、60、80mΩから選択できる。（2024/6/4）

人とくるまのテクノロジー展 2024 YOKOHAMA：
スマホの2台に1台に採用されている「CSP MOSFET」を展示、ヌヴォトン
ヌヴォトン テクノロジージャパンは、「人とくるまのテクノロジー展 2024 YOKOHAMA」（2024年5月22〜24日／パシフィコ横浜）に出展し、小型化と低オン抵抗を両立したCSP（Chip Size Package） MOSFETを展示した。（2024/5/23）

従来パッケージよりも50.8％小型化：
性能指数3.1Ω×nCの600V耐圧 小型パワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、PowerPAK 8×8LRパッケージの第4世代600V EシリーズパワーMOSFET「SiHR080N60E」を発表した。従来のD2PAKパッケージよりも小さいフットプリントで、より高い電流を提供する。（2024/5/15）

80V耐圧の「OptiMOS 7」技術を採用：
インフィニオンが車載用MOSFETを発表、オン抵抗は最大1.3mΩ
インフィニオン テクノロジーズは、最新のパワー技術「OptiMOS 7」を用いた車載向けMOSFET製品の第1弾として、80V耐圧の「IAUCN08S7N013」を発表、量産を始めた。（2024/4/26）

組み込み開発ニュース：
インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒
インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5〜20％の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。（2024/4/15）

逆回復電荷量は最大89％低減：
前世代品比でオン抵抗を42％低減した200V耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。同社前世代品と比較してオン抵抗が42％、逆回復電荷量が最大89％低減し、ソフトリカバリー特性が向上している。（2024/4/5）

システムの効率化やコスト削減に貢献：
車載および産業向けの750V耐圧 SiCパワーMOSFET新製品、Infineon
Infineon Technologiesは2024年2月27日（ドイツ時間）、車載および産業向けのSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」（同社）とするRDS（on）× Qfrおよび高いRDS（on） × Qoss性能指数を実現し、システムの効率化やコスト削減に貢献する。（2024/3/18）

PCB面積や部品点数を削減：
通信機能やコントローラーを統合したモータードライバー
マイクロチップ・テクノロジーは、同社のDSC（デジタルシグナルコントローラー）「dsPIC」をベースとした、統合型モータードライバーファミリーを発表した。DSCや三相MOSFETゲートドライバーなどを1パッケージに統合していて、PCB（プリント基板）面積の縮小や部品点数の削減が可能となる。（2024/3/8）

ビシェイ SiSD5300DN：
オン抵抗を0.71mΩまで低減した30V NチャネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの「NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET」の製品として「SiSD5300DN」を発表した。ソースフリップ技術を用いた3.3×3.3mmサイズのPowerPAK1212-Fパッケージで提供する。（2024/3/4）

三菱電機がサンプル提供を開始：
3.6V駆動で出力6.5W、業務用無線機向けシリコンRF MOSFET
三菱電機は、携帯型業務用無線機に向け、3.6V駆動で出力電力6.5Wを実現したシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」を開発、サンプル出荷を始めた。無線機の送信距離を伸ばし、消費電力の低減が可能となる。（2024/3/4）

1200V耐圧品も開発中：
高ESD耐量に対応する車載向け900V耐圧MOSFET、新電元工業
新電元工業は、車載向けMOSFET「VX3」シリーズに、900V耐圧1A「P1B90VX3K」、2A「P2B90VX3K」の2機種を追加する。車載用途に必要な高ESD耐量に対応し、車載機器の信頼性向上に寄与する。（2024/3/1）

リテルヒューズ FDA117：
フローティング電源向け光絶縁型光発電ドライバー
リテルヒューズは、光絶縁型光発電ドライバー「FDA117」を発表した。最大15.3Vの電圧と60μAの電流でフローティング電源を生成し、標準的なMOSFETやIGBTデバイスを直接駆動できる。（2024/2/19）

白物家電向けに全負荷領域で高効率：
PWM型スイッチング電源用のパワーICを開発
サンケン電気は、スーパージャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）と電流モード型PWM制御ICを1パッケージに集積したPWM型スイッチング電源用パワーIC「STR3W400MXDシリーズ」を開発、その第1弾として「STR3W424MXD」の量産を始めた。（2024/2/16）

ダイヤモンドCMOS集積回路実現へ：
NIMS、n型ダイヤモンドMOSFETを開発　「世界初」
物質・材料研究機構（NIMS）は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」（NIMS）とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを実現した。ダイヤモンドCMOS集積回路を実現することが可能となる。（2024/1/29）

ネプコンジャパン2024：
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。（2024/1/25）

100kHzでの高速動作を検証：
ダイヤモンドMOSFET相補型パワーインバーター開発へ
Power Diamond Systems（PDS）は、pチャネル型のダイヤモンドMOSFETとnチャネル型のSiC-MOSFET／GaN-HEMTを組み合わせた相補型パワーインバーターの開発に着手した。トランジスタの動作周波数を高速化することで構成部品を小型化でき、インバーター自体もさらなる小型化と軽量化が可能となる。（2023/12/28）

サンケン電気 STR6A124MV：
絶縁型PWMスイッチング電源用パワーIC
サンケン電気は、絶縁型PWMスイッチング電源用パワーIC「STR6A124MV」の量産を開始した。SJ-MOSFET搭載でオン抵抗が低減していて、6.5×9.4×3.4mmサイズで出力電力33Wまで対応する。（2023/12/8）

リテルヒューズ IXTY2P50PA：
AEC-Q101準拠、車載向けPチャンネルパワーMOSFET
リテルヒューズジャパンは、車載向けのPチャンネルパワーMOSFET「IXTY2P50PA」を発売する。最大オン抵抗やゲート電荷を低減し、車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠している。（2023/11/21）

リテルヒューズ CPC3981Z：
SOT-223-2L採用、800VデプレッションモードMOSFET
リテルヒューズジャパンは、800VのNチャンネルデプレッションモードMOSFET「CPC3981Z」を販売開始した。中間ピンを廃したSOT-223-2Lパッケージを採用していて、ピン間隔が延長した。（2023/11/13）

インフィニオン OptiMOS 5：
高出力パッケージ採用の車載向けMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、60Vおよび120Vの車載向けMOSFET「OptiMOS 5」シリーズに、高出力パッケージを採用した6製品を追加した。ゲートしきい値電圧を狭小化していて、並列MOSFETを用いた設計が可能だ。（2023/9/27）

ビシェイ SiHP054N65E：
2kW以上に対応する第4世代のパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。（2023/9/11）

東芝 MG250YD2YMS3：
2200V耐圧デュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、2200V耐圧のデュアルSiC（炭化ケイ素） MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発、量産出荷を開始した。DC1500Vで用いる太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどの用途に適している。（2023/9/8）

スイッチング損失を低減：
東芝D＆S、4端子パッケージのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、4端子タイプTO-247-4L（X）パッケージを採用したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を開発、出荷を始めた。サーバや通信機器のスイッチング電源、EV充電スタンド、太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。（2023/9/4）

東芝 XPJR6604PB、XPJ1R004PB：
車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、車載向け40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」「XPJ1R004PB」の販売を開始した。新型パッケージ「S-TOGL」を採用している。（2023/9/4）

Nexperia NPS4053：
自己保護MOSFET内蔵5Vロードスイッチ
Nexperiaは、5Vロードスイッチ「NPS4053」を発表した。自己保護MOSFETを搭載していて、負荷への電力の流れを管理できる。プログラム可能な電流制限回路も内蔵している。（2023/9/1）

組み込み開発ニュース：
高周波駆動で低消費電力の太陽光発電向け2200V SiC-MOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、太陽光発電向けに2200V SiC-MOSFETを開発した。同デバイスの2レベルSiCインバーターは、3レベルSiインバーターより低損失で、2倍のスイッチング周波数駆動時でも消費電力が38％低い。（2023/8/28）

ローム HP8KEx、HT8KEx、HP8MEx：
低オン抵抗の100V耐圧デュアルMOSFET
ロームは、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。（2023/8/23）

電力密度を向上させシステムコスト低減に貢献する：
PR：チップもパッケージもすごい！　インフィニオンの「新世代・車載用SiCパワーMOSFET」
インフィニオン テクノロジーズは2023年6月、車載向けSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの新世代製品「1200V CoolSiC MOSFET」を発売した。オンボードチャージャーやDC-DCコンバーター、インバーターなど各種車載電力変換システムの最新ニーズに応える次世代型のSiC-MOSFETとして開発された1200V CoolSiC MOSFETの特徴を詳しく紹介する。（2023/8/22）

PV用インバーターを小型軽量化：
東芝D＆S、耐圧2200VのSiC MOSFETを開発
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、耐圧2200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETを開発した。太陽光発電（PV）用インバーターシステムの小型軽量化が可能になる。【訂正あり】（2023/8/18）

インフィニオンの「CoolMOS S7／S7A」：
SJ MOSFETファミリーに産業用／車載用を追加
インフィニオン テクノロジーズは、高耐圧のスーパージャンクション（SJ）MOSFETファミリーとして、産業機器および車載機器に向けた耐圧600Vの「CoolMOS S7／S7A」を新たに追加した。（2023/8/10）

インフィニオン CoolSiC MOSFET 650V：
TOLLパッケージ採用SiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、TOLLパッケージを採用したSiC MOSFET「CoolSiC MOSFET 650V」を発表した。スイッチング周波数や熱管理の向上、スイッチング損失の低減、パッケージの自動組み立てなどが可能となる。（2023/8/9）

界面の欠陥準位密度は約1/4に：
SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減
大阪大学の研究グループは、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅に減らす技術を開発した。SiC MOSFETの性能や信頼性のさらなる向上につながる技術とみられている。（2023/8/7）

ローム BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB：
GaN HEMT採用パワーステージIC
ロームは、GaN（窒化ガリウム）パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できる。（2023/8/2）

部品体積99％減、電力損失55％減：
「性能を最大限引き出す」、ローム初のGaN SiP詳細
ロームが、650V耐圧GaN HEMTとゲート駆動用ドライバーを1パッケージ化したパワーステージICを発表した。同社初のGaN SiPで、シリコンMOSFETから置き換えた場合、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できるという。（2023/7/25）

日清紡 NC2700MA、NC2701MA、NC2702MA：
最大20A対応のスイッチングレギュレーター
日清紡マイクロデバイスは、降圧DC-DCスイッチングレギュレーターモジュール「NC2700MA」「NC2701MA」「NC2702MA」のサンプル受注を開始した。インダクターや2種のMOSFET、制御IC、バイパスコンデンサーを内蔵している。（2023/7/13）

ビシェイ VOMDA1271：
ターンオフ回路内蔵、太陽光発電MOSFETドライバー
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載向けの太陽光発電MOSFETドライバー「VOMDA1271」を発表した。ターンオフ回路を備えていて、ターンオフ時間が標準0.7ミリ秒、ターンオン時間が0.05ミリ秒となっている。（2023/6/22）

EVの航続距離を年間で1600km延長：
PR：トラクション・インバータの効率の「限界」を引き上げる！　ゲート駆動能力を瞬時に切り替えるゲート・ドライバ
電気自動車（EV）において、トラクション・インバータの高効率化はEVの航続距離の延長に直結する重要な要素だ。既存のトラクション・インバータにおいてさらなる高効率化が課題となる中、Texas Instrumentsは新たなゲート・ドライバを開発した。ゲート駆動能力をリアルタイムに切り替えることでSiC-MOSFETのスイッチング損失を抑え、システム効率を最大2％向上させる。これにより、EVの航続距離を年間で最大1600km延長できる。（2023/6/21）

インバーターやDC-DCコンバーターで活用：
EV搭載部品を小型／高効率化、パワーMOSFET内蔵基板
メイコーは「JPCA Show 2023」で、パワーMOSFET内蔵基板の製造技術を展示した。実装面積や配線距離を減らすことで、EV（電気自動車）に搭載するインバーターやDC-DCコンバーターの小型化や高効率化に貢献するという。（2023/6/14）

組み込み開発ニュース：
三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服
三菱電機が大容量のフルSiCパワーモジュールでもSBD内蔵SiC-MOSFETを適用可能とする新たなチップ構造について説明。同技術を適用した大型産業機器向け3.3kVフルSiCパワーモジュールのサンプル出荷も始めている。（2023/6/2）

3.3kV SiCパワーモジュールに搭載：
SBD内蔵SiC-MOSFET、サージ電流耐量を向上
三菱電機は、新たなチップ構造を採用した「SBD内蔵SiC-MOSFET」について、記者説明会を行った。並列接続したSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流耐量をこれまでの5倍以上に高めたことで、Siパワーモジュールとほぼ同等のサージ電流耐量が得られるという。（2023/6/2）

東芝 SSM14N956L：
バッテリー保護回路向けの小型/省電力なMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、リチウムイオン電池のバッテリー保護回路向けコモンドレインMOSFET「SSM14N956L」の出荷を開始した。低電力損失と低待機電力化を両立しており、バッテリーの長時間動作に寄与する。（2023/5/31）