放熱性39%向上　ロームのTOLLパッケージSiC MOSFET：部品面積26%縮小

ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。

» 2025年10月16日 09時00分公開

[EDN Japan]

SiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズ出所：ローム

　ロームは2025年9月、TOLL（TO-LeadLess）パッケージを採用した炭化ケイ素（SiC）MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産開始を発表した。6機種を用意し、サンプル価格は1個5500円（税別）だ。

　同シリーズは、TO-263-7Lパッケージを用いた同社従来品と比べて、放熱性が約39％向上している。部品面積が約26％縮小したほか、厚さも約半分の2.3mmへ低背化した。

　ドレイン-ソース間定格電圧は750V。650Vの一般的なTOLLパッケージ品に比べ、サージ電圧への余裕を確保できる。ゲート抵抗を小さく抑えられるため、スイッチング損失が低減する。

オン抵抗は13～65mΩ

　オン抵抗13mΩの「SCT4013DLL」（ドレイン電流120A）、同20mΩの「SCT4020DLL」（同80A）、同26mΩの「SCT4026DLL」（同61A）、同36mΩの「SCT4036DLL」（同46A）、同45mΩの「SCT4045DLL」（同37A）、同65mΩの「SCT4065DLL」（同26A）の6機種をそろえた。いずれも750V耐圧に対応している。

　主な用途として、AIサーバや電力貯蔵システム（ESS）、薄型電源など、高電力密度化が進む産業機器での利用を見込む。同社のWebサイトでは、各機種のシミュレーションモデルを無償で提供している。

2012サイズで定格電力1.25Wのシャント抵抗器、ローム
ロームは、定格電力1.0Wおよび1.25Wのシャント抵抗器「UCR10C」シリーズを発表した。抵抗値は10～100mΩで、放熱構造の最適化と金属抵抗体の採用により、高精度な電流センシングに対応する。
低VF／低IRの保護用ショットキーバリアダイオード、ローム
ロームは、低VFと低IRのトレードオフを両立した、保護用SBD「RBE01VYM6AFH」を開発した。ADASカメラなど、高画素化が進むイメージセンサー搭載機器に向けた保護ソリューションを提供する。
精度±5％の電流センス採用ゾーンECU向けハイサイドIPD、ローム
ロームは、ゾーンECU向けハイサイドIPD「BV1HBxxx」シリーズを6品種で製品化した。容量負荷駆動能力が高く、ゾーンECUと出力負荷の接続部での用途に最適。月産20万個体制で量産を開始している。
実装面積を52％削減　高電力密度のOBC向けSiCモジュール、ローム
ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。
「業界トップ」の低オン抵抗　急速充電向けMOSFET、ローム
ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。