実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN：電子ブックレット（EDN）

[EDN Japan]

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実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「＠IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日は、2012年7月11〜13日に東京ビッグサイトで開催された「TECHNO-FRONTIER 2012」より、パワー半導体関連のリポートをお届けします。

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実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

「TECHNO-FRONTIER 2012（テクノフロンティア2012）」では、パワー半導体を手掛ける各社が次世代材料のSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）を用いた素子やモジュールをこぞって展示した。これらの次世代パワー半導体は、素子単体やモジュールとしての製品化が進んでおり、白物家電から鉄道用インバータに至るまで、さまざまな分野の最終製品への搭載も始まっている。ただし当面は、コストや実績で圧倒的な優位にあるSi（シリコン）ベースのパワー半導体が主流であり続けるだろう。そのSiパワー半導体も改善が続いており、今回はIGBTなどの新型品がお目見えした。

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