第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール：三菱電機 IPM G1シリーズ

三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。産業用機器の低消費電力化／小型化に対応するという。

[EDN Japan]

　三菱電機は2016年4月、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。汎用インバーター／サーボアンプ／エレベーターなどの産業用機器の低消費電力化／小型化に対応するという。

　IPM G1シリーズは、IGBTにキャリア蓄積効果を利用した独自のCSTBT構造を採用し、電力損失とノイズを低減している。裏面拡散層形成技術を用いたRFCダイオードの採用により、リカバリー時の急な電圧の立ち上がりを抑制できる。

　また、過熱／制御電源電圧低下／短絡を識別できるエラーモード（Fo）識別機能を搭載し、エラー発生時の解析を容易にした。使用条件に応じてスイッチング速度を自動的に2段階で切り替える機能も搭載。スイッチング損失とノイズのトレードオフを改善し、インバーターの開発負荷軽減に寄与するとしている。

パワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのAタイプ

　パッケージは、50×90mmのAタイプ、55×120mmのBタイプ、85×120mmのCタイプの3種である。主端子の配列／形状は、ストレート配列／はんだピン、ストレート配列／ねじ、L型配列／はんだピン、L型配列／ねじなどをそろえた。