4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiP：STマイクロ PWD13F60

STマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ（SiP）「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。

[EDN Japan]

ゲートドライバと保護回路を内蔵

　STマイクロエレクトロニクスは2017年12月、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ（SiP）「PWD13F60」を発表した。ゲートドライバと保護回路を内蔵し、産業用モータードライバ、照明安定器、電源、コンバーター、インバーターなどの部材コストと基板面積を削減できる。

フルブリッジSiP「PWD13F60」

　4個のパワーMOSFETを集積し、単独で単相フルブリッジを構成する他、1つのフルブリッジまたは2つのハーフブリッジとしても構成できる。また、ディスクリート部品で構成する従来の回路に比べ、実装面積を60％小型化。最終製品の電力密度を高めることができる。

　同社の高耐圧BCD6s-Offlineプロセスで製造され、パワーMOSFET用のゲートドライバとハイサイド駆動用のブーストラップダイオードを内蔵している。外付け部品が不要になるため、基板設計を簡略化し、組み立て工程を効率化する。貫通電流保護と低電圧ロックアウト（UVLO）を備え、実装面積の削減とシステムの安全性を向上できる。

　電源電圧は最低6.5Vから動作できる。ドレインソース間オン抵抗は320mΩ、ブレークダウン電圧は600V。3.3〜15Vのロジック信号を入力でき、マイコン、デジタルシグナルプロセッサ（DSP）、ホールセンサーとの接続も容易に行える。

　放熱効率に優れたマルチアイランドのVFQFPNパッケージで供給され、1000個購入時の単価は約2.65米ドルとなる。