小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET:インフィニオン 600V CoolMOS P7/C7 Gold
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
インフィニオン テクノロジーズは2017年3月、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。スーパージャンクションMOSFETの性能を向上させ、サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
600V CoolMOS P7は、100W〜15kWまでの電力に対応し、充電器やアダプター、照明、TV、PC用電源、太陽光発電、サーバ、通信、電気自動車の充電など、幅広いアプリケーションに活用できる。オン抵抗は37〜600mΩで、さまざまなトポロジーにおいて効率を最大1.5%高めた。HBM(人体帯電モデル)におけるESD耐性は2kVで、熱特性は競合製品に比べて最大4.2℃優れている。
高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」
600V CoolMOS C7 Goldは、28〜150mΩの低オン抵抗に加え、ゲートチャージを抑えることで、出力静電容量に保存されるエネルギーを低減した。熱特性を改善したTO-Leadlessパッケージを採用し、ケルビンソースにも対応。D2PAKと比べ、基板占有面積を30%、高さを50%、体積を60%削減できる。また、PFC回路やLLC回路の損失を最小限に抑え、PFC回路の全負荷効率を改善した。寄生ソースインダクタンスは1nHに低減している。
高耐圧MOSFET「600V CoolMOS C7 Gold」
両製品とも、既に量産出荷を開始している。
- 部品点数を5点削減できるMOSFETレギュレーター
インフィニオンテクノロジーズは、高密度アプリケーション向けに高集積型MOSFET DC-DCレギュレーター「IR3883」を発表した。強力な安定化エンジンを採用し、補償回路がなくてもセラミックコンデンサーによる安定動作を可能にした。
- Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。
- 4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。
- マイコン周辺部品の選び方――トランジスタ/MOSFET編
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンの周辺部品であるトランジスタやMOSFETなどのICの選び方」です。
- 高電力のスイッチモード電源用650V パワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET3種を発表した。
- GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.