1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET：インフィニオン CoolSiC MOSFET

インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80％削減できる。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2020年11月、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に、1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備が不要になり、損失も従来比で最大80％削減できる。サーボドライブ、小型充電インフラストラクチャ、産業用電源などでの利用を見込む。

1200Vに最適化された「CoolSiC MOSFET」ファミリー

オン抵抗定格30m〜350mΩまでをラインアップ

　新製品は、1200V用に最適化したSMDパッケージに、CoolSiCトレンチMOSFETチップと同社のパッケージング技術「.XT」を組み合わせることで、小型ながら高い放熱性とサイクル性能を有する。オン抵抗定格30〜350mΩまでをラインアップしている。

　短絡耐量時間は3マイクロ秒で、スイッチング損失も少ない。IGBTソリューションと同じEMCレベルでも、システム損失を80％に削減できる。標準の相互接続と比較して、出力電流は最大14％増、スイッチング周波数は2倍、動作温度は10〜15ケルビン低い。

　モーターやロボットアームのモータードライブの小型化と同時に、冷却ファンを不要としたことで、メンテナンスや材料にかかるコストの削減にも貢献する。

　7ピンのD²PAK-7SMDパッケージで提供し、既に供給を開始している。今後は650V対応SMDパッケージを追加し、2021年までにオン抵抗25〜200mΩの新製品を提供する予定だ。