実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET:ローム RV8C010UN、RV8L002SN、BSS84X
ロームは、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUやADASに適している。
ロームは2020年9月、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUや先進運転支援システム(ADAS)に適している。月産10万個の体制で量産を開始しており、サンプル価格は1個100円(税別)だ。
車載規格AEC-Q101対応の超小型MOSFET
独自のウェッタブルフランク技術により、リードフレーム上限までのメッキ加工が可能になり、パッケージ側面電極部分の高さは125μm以上を保証。安定したはんだフィレットが形成できることから、下面電極パッケージでありながら、部品実装後も車載基準の自動光学検査による視認性が向上した。
また、1.0×1.0×0.4mmのDFN1010パッケージと高放熱の下面電極を採用したことで、2.9×2.4mmのSOT-23パッケージ品と比較して実装面積が約85%削減し、放熱性が65%向上した。一般的にトレードオフの関係にある小型化と高放熱化を両立している。
基板の高密度化が進む車載ECUやADAS関連機器の小型化に貢献し、スイッチング用途や逆接続保護用途に適している。
- 最大効率98.4%、車載向け650V耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、650V耐圧MOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。最大475Vのバッテリー電圧に対応するほか、ケルビンソース接続により、最大効率は98.4%まで向上する。
- 最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40%低減した。
- 低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。
- 600V、低オン抵抗の低周波アプリケーション向けMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、低周波アプリケーション向けMOSFET「600V CoolMOS S7」ファミリーを開発した。アクティブブリッジ整流やインバーター、PLC、ソリッドステートリレーなどの用途に適している。
- 低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。
- 48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
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