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4端子構成パッケージのSiC-MOSFET：三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ

三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30％低減した。

» 2020年11月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

　三菱電機は2020年11月、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を同月に開始すると発表した。AEC-Q101に準拠した3品種を含み、車載充電器や太陽光発電機などの高電圧での電力変換を必要とする電源システム向けとなる。サンプル価格は1600～6000円（税別）。

「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」

「TO-247-4」をパッケージに採用

　同製品群は、4端子構成の「TO-247-4パッケージ」を採用。TO-247-4は、ソース端子を電力用パワーソース端子とゲート駆動用ドライバソース端子に分離しており、ソース端子での寄生インダクタンスを低減してゲート電圧の低下を抑制、従来品と比較してスイッチング損失を約30％低減している。これにより、放熱機器や周辺部品を小型化、簡素化できるため、システム全体の低消費電力化や小型化に貢献する。

　また、従来品と比較してドレイン端子とソース端子との間の沿面距離が拡張されており、沿面距離が要求される屋外設置向け電源システムにも対応する。電圧は1200V、オン抵抗は22～80mΩ、電流は38～102Aだ。

実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET
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電源と通信インタフェースを統合したマルチハーフブリッジMOSFETドライバ
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100V耐圧ハーフブリッジMOSFETドライバIC
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最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
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