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定格温度175℃のダイオードとトランジスタ：Nexperia BAS16TH、BAS21TH、BC807Hシリーズ、BC817KHシリーズ

Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。

» 2019年07月29日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2019年7月、SOT23パッケージを採用した、定格温度175℃のスイッチングダイオードファミリーと汎用トランジスタ製品を発売した。高速スイッチングダイオード「BAS16TH」、高電圧スイッチングダイオード「BAS21TH」、汎用トランジスタの「BC807H」「BC817KH」シリーズだ。

定格温度175℃のダイオード、トランジスタのイメージ

　BAS16THは、スイッチング速度が4ナノ秒、ピーク繰り返し逆電圧が100V。BAS21THは最大スイッチング速度が50ナノ秒、ピーク繰り返し逆電圧が250Vとなっている。BC807Hは45V、50mAのPNP汎用トランジスタで、BC817KHは45V、500mAのNPN汎用トランジスタだ。

車載機器の高温設計が可能に

　いずれの製品も、パッケージサイズが2.9×1.3×1mmで、車載規格AEC-Q101に準拠している。また、定格温度150℃のデバイスと比べて、定格温度175℃のSOT23パッケージ機器は許容損失P_totが25％増加していることから、ギアボックスやモータードライブ、ボンネット下に用いる部品、機器の高温設計が可能になる。

　定格温度175℃製品はこの他に、リードレスDFN、リード付きSMD、クリップボンドFlatPower（CFP）、LFPAKパッケージで提供される。

車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D（デュアルパワーSO8）パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS（Antilock Brake System）などに向く。
低順方向電圧降下100V、120Vダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは100V、120Vの TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード4種を発表した。5Aの順方向電圧降下が0.36〜0.49Vと低いため、電力損失を削減して、効率性を向上する。
US2Hパッケージのショットキーバリアダイオード
東芝デバイス＆ストレージは、電源回路の整流と逆流防止用途向けショットキーバリアダイオード「CUHS10F60」の量産出荷を開始した。2.5×1.4mmの小型、高放熱パッケージを採用し、熱設計を支援する。
AEC-Q101車載グレードのSiCショットキーダイオード
オン・セミコンダクターは、車載用規格AEC-Q101に準拠したSiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオード「FFSHx0120」「FFSHx065」を発表した。逆回復電流がなく、スイッチング性能は温度に依存しない。
電力密度を高める650V SiCショットキーダイオード
オン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。
全容量電荷47～115nCのSiCショットキーダイオード
リテルヒューズは、シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、定格電流8～20Aの新製品4種を追加した。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。