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窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET：インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70

インフィニオンテクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。

» 2021年05月24日 08時39分公開

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2021年4月、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。両製品とも、既に販売を開始している。

　ハーフブリッジ構成で、信頼性の高いゲート酸化膜を採用したCoolSiC MOSFET技術を搭載する。オン抵抗は、EasyDUAL 1Bパッケージが11mΩ、EasyDUAL 2Bパッケージが6mΩ。

ヒートシンクへの熱抵抗を最大40％低減

　DCB材料の熱伝導性を向上させたことで、ヒートシンクへの熱抵抗を最大40％低減する。CoolSiC Easyモジュールとともに使用することで、出力電力の増加やジャンクション温度の低下が可能になる。

左＝「FF11MR12W1M1_B70」／右＝「FF6MR12W2M1_B70」

　ソーラーシステムや無停電電源装置、補助インバーター、エネルギー貯蔵システム、電気自動車の充電器といった高電力用途での需要を見込む。

SiCスイッチの特性と設計上の注意点
年々注目度が増すワイドバンドギャップ（WBG）半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC（炭化ケイ素）だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
車載グレードの80V PチャンネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31％低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。
熱抵抗を抑えた小型パッケージを採用した新型MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、バッテリー駆動回路、ブラシ付き/ブラシレスDC（BDLC）モータ駆動装置など、DC駆動回路向けの「StrongIRFET」MOSFETファミリを発表した。高い電力密度と熱性能を備えた「Medium Can DirectFET」パッケージを採用している。