熱抵抗を抑えた小型パッケージを採用した新型MOSFET：インフィニオン StrongIRFET

インフィニオンテクノロジーズは、バッテリー駆動回路、ブラシ付き/ブラシレスDC（BDLC）モータ駆動装置など、DC駆動回路向けの「StrongIRFET」MOSFETファミリを発表した。高い電力密度と熱性能を備えた「Medium Can DirectFET」パッケージを採用している。

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2015年7月、バッテリー駆動回路、ブラシ付き/ブラシレスDC（BDLC）モータ駆動装置など、DC駆動回路向けの「StrongIRFET」MOSFETファミリを発表した。電動工具や電動自転車、ドローンなど、スペースに制約のあるアプリケーションで高い効率性を発揮するという。

熱抵抗を抑えた新パッケージを採用

　新型StrongIRFETデバイスは、両面冷却機構によって高い電力密度と熱性能を備えた、小型の「Medium Can DirectFET」パッケージを採用している。デバイスのゲートパッドをダイの角に移動させることでソースの接地面積が上昇し、標準的なDirectFETパッケージに比べてPCBへの熱抵抗が低く、効率化と同時に設計時の拡張性も向上したという。

MOSFETファミリ「StrongIRFET」

　StrongIRFETデバイスの電圧範囲は40〜75V。100％鉛フリーパッケージを採用し、RoHS指令に準拠している。低オン抵抗（RDSon）により、伝導損失を最小限に抑えて高い電流通過能力を発揮し、堅牢なシリコンによってシステムの信頼性を向上させた。