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低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：ビシェイ SiSS52DN

ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。

» 2021年06月14日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2021年5月、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。サンプルおよび製品出荷を開始していて、量産品の標準納期は12週間としている。

スイッチング性能指数を前世代から29％改善

　ドレインソース間電圧は30V、ドレイン電流は162A。オン抵抗（代表値）は、10Vで0.95mΩ、4.5Vで1.5mΩだ。4.5V時のスイッチング性能指数（FOM、オン抵抗とゲート電荷の積）は29.8mΩ×nCで、前世代のデバイスと比べて29％改善した。電力変換アプリケーションにおける導電損失とスイッチング損失を低減できる。耐熱性を強化したPowerPAK 1212-8Sパッケージを採用し、大きさは3.3×3.3mmになる。

30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「SiSS52DN」

　同期整流、同期バックコンバーター、DC-DCコンバーター、スイッチタンクトポロジー、OR-ring FETのローサイドスイッチングや、サーバ、テレコム、RF装置の電源用ロードスイッチなど、幅広い用途に適する。

耐圧40Vでオン抵抗が最大1.0mΩのパワーMOSFET、缶パッケージで供給
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）のDirectFETは、オン抵抗が小さく、缶パッケージに収めたパワーMOSFETファミリである。大電力モータやインバータ、大電流スイッチングなどの用途に向ける。
高耐圧パワーMOSFET内蔵のコンバーター
STマイクロエレクトロニクスは、1050V耐圧のNチャンネルパワーMOSFETを内蔵する高電圧コンバーター「VIPer26K」を発表した。単相および3相スマートメーター、3相の産業機器、エアコン、LED照明用の電源などで活用できる。
最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。
650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズの量産出荷を開始した。薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用し、従来から約27％実装面積を縮小している。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品
東芝デバイス＆ストレージは、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品「TPHR7904PB」「TPH1R104PB」を発表した。低抵抗で小型のパッケージを採用することで、低オン抵抗特性を実現した。