650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET：東芝 DTMOSVIシリーズ

東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズの量産出荷を開始した。薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用し、従来から約27％実装面積を縮小している。

[EDN Japan]

東芝デバイス＆ストレージは2021年3月、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI（ディーティーモスシックス）」シリーズの量産出荷を開始した。データセンターのサーバ電源や太陽光発電パワーコンディショナー、無停電電源装置（UPS）での利用に適している。

　DTMOSVIシリーズは、「TK065U65Z」「TK090U65Z」「TK110U65Z」「TK155U65Z」「TK190U65Z」の5種類をラインアップ。9.9×11.68×2.3mmと薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用したことで、既存のD2PAKパッケージと比べて約27％実装面積を縮小させた。

スイッチング損失を低減する4端子タイプ

　さらに、4端子タイプでゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続できるため、パッケージ内ソースワイヤのインダクタンスがもたらすスイッチングへの影響を低減する。これにより、スイッチング速度が高速化し、スイッチング時の発振を抑える。ケルビン接続非対応のTO-247パッケージ品「TK090N65Z」と比べて、ターンオン損失が約68％、ターンオフ損失が約56％低減した。

650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズ

　5種それぞれのドレイン電流および最大オン抵抗は、TK065U65Zが38A、65mΩ、TK090U65Zが30A、90mΩ、TK110U65Zが24A、110mΩ、TK155U65Zが18A、155mΩ、TK190U65Zが15A、190mΩになっている。