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最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET：東芝　U-MOS X-Hシリーズ

東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。

» 2020年04月21日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2020年3月、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H（ユー・モス・テン・エイチ）」シリーズを発売した。表面実装タイプパッケージのSOP Advanceを採用した「TPH2R408QM」、TSON Advanceを採用した「TPN19008QM」を用意し、順次出荷を開始している。

NチャネルパワーMOSFET「TPH2R408QM」「TPN19008QM」

ドレインソース間オン抵抗を約40％低減

　U-MOS X-Hシリーズでは、同社の従来世代プロセス「U-MOS VIII-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減。さらに、素子構造を最適化し、ドレインソース間オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフも改善している。

　TPH2R408QMの最大ドレイン電流は120A、オン抵抗はゲートソース間電圧が＋10Vのときに2.43mΩ、＋6Vのときに3.5mΩ。TPN19008QMの最大ドレイン電柱が34A、オン抵抗はゲートソース間電圧が＋10Vのときに19mΩ、＋6Vのときに28mΩとなっている。

　パッケージサイズは、TPH2R408QMが5.0×6.0mm、TPN19008QMが3.3×3.3mm。いずれも最大チャネル温度は＋175℃。高効率AC-DCコンバーターや高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源、モータードライブなどのモーター制御機器での用途を見込む。

48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8％低い。
1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。
高速リカバリ対応の600V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリボディダイオードを内蔵した、600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーを発表した。