GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC：STマイクロ STDRIVEG600

STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2021年8月、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。既に量産中で、16ピンのSO16パッケージで提供する。1000個購入時の単価は約1.07米ドル。

GaN FETドライバ「STDRIVEG600」

伝播遅延は45ナノ秒

　STDRIVEG600は、最大6Vのゲートソース間電圧（VGS）をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路の耐圧は最大600Vで、500Vまでの高電圧アプリケーションに対応する。dV/dtは±200V/ナノ秒、伝播遅延はハイサイド、ローサイドともに45ナノ秒。ロジック入力は、最小3.3VのCMOS、TTLと互換性があり、ホストマイコンやDSPとの接続も容易だ。

　同期整流MOSFETを備えたブートストラップ回路を集積したことで、部品数が削減し、基板レイアウトがシンプルになる。また、ターンオン端子とターンオフ端子が別になっているため、設計時に適したゲート制御を選択可能だ。ローサイド、ハイサイド両方に減電圧ロックアウト（UVLO）機能を備えるほか、インターロックによる貫通電流保護、過熱保護、シャットダウン端子なども搭載する。

　生活家電をはじめ、FA、産業用ドライブ向けの高電圧PFC（力率改善回路）、DC-DCコンバーター、DC-ACコンバーター、スイッチング電源、UPS（無停電電源）、太陽光発電システム、モータードライバなどに適している。