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Nexperia 50μAツェナーダイオード：：Nexperia 50μAツェナーダイオード

Nexperiaは、公称動作電圧1.8～75Vの「50μAツェナーダイオード」製品群を発表した。表面実装をはじめ、さまざまなパッケージオプションを用意する。低バイアスのポータブルバッテリー駆動機器に適する。

» 2022年02月15日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2022年1月、公称動作電圧1.8～75Vの「50μAツェナーダイオード」製品群を発表した。表面実装（SMD）をはじめ、さまざまなパッケージオプションを用意する。モバイル、ウェアラブル、車載、産業アプリケーション用途の低バイアスのポータブルバッテリー駆動機器に適する。既にサンプル出荷と量産を開始している。

「50μAツェナーダイオード」出所：Nexperia

　新製品の非繰り返しピーク逆消費電力は40W以下、総消費電力は300mW以下で、低ダイナミック抵抗が特徴だ。また、AEC-Q101とISO/TS16949車載品質規格に適合した「Q」シリーズも用意している。

　SOT23（BZX8450）、SOD323（BZX38450）、SOD523（BZX58550）のSMDパッケージ、DFN1006BD-2（BZX8850S）のリードレスパッケージを選択可能で、パッケージごとに動作電圧の異なる40種類をラインアップする。

サイドウェッタブルフランク採用の小型DFNリードレスパッケージも用意

　中でも、DFNパッケージ品は、1.0×0.6×0.47mmと小型で、リード付きパッケージと比べて最大60％実装スペースを削減できる。また、サイドウェッタブルフランク（SWF）を採用し、自動光学検査（AOI）が利用できる。さらに、高い全許容損失（Ptot）、リード付き製品より低い動作温度と、システムの信頼性向上にも貢献する。

産業向け650V SiCショットキーダイオード
Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H（-J/-K/-L）」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧（VRRM）は650V、連続順方向電圧（IF）は10Aだ。
USB4接続向けの双方向ESD保護ダイオード
Nexperiaは、USB4標準インタフェース向けの双方向ESD保護ダイオード「PESD5V0R1BxSF」を発表した。最高40Gビット/秒のUSB4に対応するノートPCや周辺機器、スマートフォンなどポータブル電子機器での利用を見込む。
5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET
Nexperiaは、特定用途向けMOSFET（ASFET）として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166％拡大した。
低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。
定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60％低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30％削減できる。
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。