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MIPI M-PHY v5.0対応の組み込み式フラッシュ：キオクシア UFS製品

キオクシアは、高速シリアル伝送規格「MIPI M-PHY v5.0」対応の組み込み式フラッシュメモリであるUFS（Universal Flash Storage）製品のサンプル出荷を開始した。5G向けハイエンドスマートフォンなどモバイル機器に適する。

» 2022年03月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

　キオクシアは2022年2月、高速シリアル伝送規格「MIPI M-PHY v5.0」対応の組み込み式フラッシュメモリであるUFS（Universal Flash Storage）製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイト製品は同25日から、その他の製品は同年8月以降、順次対応する予定だ。5G（第5世代移動通信）向けハイエンドスマートフォンなどモバイル機器に適する。

「MIPI M-PHY v5.0」対応の組み込み式フラッシュメモリ出所：キオクシア

3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を搭載

　新製品は、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を搭載し、512G、256G、128Gバイトの3種類をラインアップする。MIPI M-PHY HS-GEAR5モードでは、理論上最大23.2Gビット/秒、2レーンモード設定時では46.4ビット/秒まで対応する。

　シリアルインタフェースを採用するUFSは、全二重通信によって、ホスト機器との間のデータリードおよびライト動作を同時に実行できる。

　256Gバイト製品の場合、前世代製品と比べてシーケンシャルリードおよびライト性能がそれぞれ約90％、約70％改善している。また、ランダムリードおよびライト性能は、それぞれ約35％、約60％改善した。

最大7.68Tバイト、105万IOPSのPCIe 5.0向けNVMe SSD
キオクシアは、次世代高速インタフェースのPCIe 5.0に対応したNVMe SSD「KIOXIA CD7 E3.S」シリーズのサンプル出荷をした。エンタープライズおよびデータセンターの高性能で高密度のサーバやストレージに適する。
PCIe4.0、NVMe1.3cに対応したSSD
キオクシアは、PCIe 4.0対応でOCPのNVMeクラウドSSD仕様に準拠したSSD「キオクシアXD6」シリーズの評価用サンプルの出荷を開始した。フォームファクター「E1.S」を採用し、PCIe 4.0およびNVMe 1.3cに対応している。
航空宇宙向けのQML-V認証NORフラッシュメモリ
インフィニオンテクノロジーズは、航空宇宙グレードの信頼性規格「QML-V Flow」に準拠した、大容量耐放射線NORフラッシュメモリ製品を発表した。
512MビットのシリアルNORフラッシュメモリ
ウィンボンド・エレクトロニクスは、動作電圧1.8V、容量512MビットのシングルダイSPI NORフラッシュメモリ「W25Q512NW」を発売した。166MHzの高速読み取りに対応し、ハイエンドサーバアプリケーションに適する。
IoTデバイスとデータを守るセキュアフラッシュメモリ
ウィンボンド・エレクトロニクスは、セキュアフラッシュメモリ「W77Q」シリーズを発表した。既存のPCBやブートコードの変更は不要で、標準SPI NORフラッシュメモリと置き換え可能だ。
96層の3D NANDフラッシュを採用した産業用SSD
Transcend Informationは、BiCS4 3D TLC NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。フォームファクターにはM.2 2242、インタフェースにはNVMe 1.3準拠のPCIe Gen 3 ×2を採用している。