512MビットのシリアルNORフラッシュメモリ：ウィンボンド W25Q512NW

ウィンボンド・エレクトロニクスは、動作電圧1.8V、容量512MビットのシングルダイSPI NORフラッシュメモリ「W25Q512NW」を発売した。166MHzの高速読み取りに対応し、ハイエンドサーバアプリケーションに適する。

[EDN Japan]

　ウィンボンド・エレクトロニクスは2021年6月、動作電圧1.8V、容量512MビットのシングルダイSPI NORフラッシュメモリ「W25Q512NW」を発売した。一部の顧客向けに少量生産を開始しており、同年後半の量産開始を予定している。

シングルダイSPI NORフラッシュメモリ「W25Q512NW」

　W25Q512NWは、最大166MHzのSDR、80MHzのDDR高速読み取りに対応し、QPIモードによるXIP（eXecute In Place）や高速起動も可能だ。動作温度は−40〜＋85℃。5G（第5世代移動通信）モデム、5Gコンピューティング、クラウドサーバ、光ファイバーモデム、スマートIoT（モノのインターネット）など、ハイエンドサーバアプリケーションに適する。

ダイスタックによりメモリ容量の拡張が容易

　ダイスタックにより容量は最大2Gビットまで拡大可能で、Read-While-Write機能も備える。2ダイスタック品は、読み取り操作時や突然の電源断停電時にも、既存のファームウェアはそのままでOTA（Over-The-Air）中の書き込み操作を可能にし、高速かつ安定したシステムファームウェアのアップデートを提供する。

　また、ピン互換性により、顧客はメモリ容量を16Mビットから2Gビットまで選べる。フットプリントの変更が不要となるため、製品寿命の延長、市場投入期間の短縮、開発時間の削減が期待できる。