航空宇宙向けのQML-V認証NORフラッシュメモリ:インフィニオン 大容量耐放射線NORフラッシュメモリ
インフィニオン テクノロジーズは、航空宇宙グレードの信頼性規格「QML-V Flow」に準拠した、大容量耐放射線NORフラッシュメモリ製品を発表した。
インフィニオン テクノロジーズは2021年7月、航空宇宙グレードのFPGA向けに、同グレードの信頼性規格「QML-V Flow」に準拠した大容量耐放射線NORフラッシュメモリ製品を発表した。256Mビットと512Mビットをラインアップにそろえる。
大容量耐放射線NORフラッシュメモリの512Mビット品
両製品は、30krad(Si)バイアス、125krad(Si)アンバイアスまでの耐放射線性を有する。ピン数を36に抑えつつも、高クロックレートでの使用時には、従来のパラレル非同期NORフラッシュメモリと同等以上のデータ転送が可能となっている。
65nmのフローティングゲートフラッシュプロセスを用いて開発され、動作温度範囲は−55〜+125℃。125℃では1000回の書き換えサイクルと30年のデータ保持が、85℃では1万回の書き換えサイクルと250年のデータ保持が可能だ。
512Mビット品は、1つのパッケージに2つの独立した256Mビットダイを並列に配置しており、設計者はいずれかのダイを用いてデュアルQSPIまたはシングルQSPIモードでデバイスを動作できる。また、2つ目のダイをバックアップに用いるオプションも用意している。
両製品ともに、インタフェース速度は133MHz SDR。24×12mmのセラミックフラットパックパッケージを採用している。
- 512MビットのシリアルNORフラッシュメモリ
ウィンボンド・エレクトロニクスは、動作電圧1.8V、容量512MビットのシングルダイSPI NORフラッシュメモリ「W25Q512NW」を発売した。166MHzの高速読み取りに対応し、ハイエンドサーバアプリケーションに適する。
- IoTデバイスとデータを守るセキュアフラッシュメモリ
ウィンボンド・エレクトロニクスは、セキュアフラッシュメモリ「W77Q」シリーズを発表した。既存のPCBやブートコードの変更は不要で、標準SPI NORフラッシュメモリと置き換え可能だ。
- 広帯域幅メモリ内蔵の新プラットフォーム
ザイリンクスは、「Versal ACAP」の新製品「Versal HBM」シリーズを発表した。高速メモリ、データ保護機能、適応型演算機能を統合し、データセンター、有線ネットワーク、テスト、計測、航空宇宙、防衛に適する。
- モーター制御用3相ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、モーター制御用3相ゲートドライバICの「EiceDRIVER 6EDL7141」を発表した。フルプログラム可能で、バッテリー駆動の工具、ドローン、電動バイク、ロボットなどに適する。
- 最大効率98.4%、車載向け650V耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、650V耐圧MOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。最大475Vのバッテリー電圧に対応するほか、ケルビンソース接続により、最大効率は98.4%まで向上する。
- 宇宙環境向け耐放射線プラスチックパッケージIC
ルネサス エレクトロニクスは、小型、軽量、低コストの耐放射線プラスチックパッケージの製品4種を発表した。中高度地球軌道や静止軌道の衛星、小型衛星、高密度電子機器の電源管理システムでの利用を見込む。
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