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96層の3D NANDフラッシュを採用した産業用SSD：Transcend MTE452Tシリーズ

Transcend Informationは、BiCS4 3D TLC NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。フォームファクターにはM.2 2242、インタフェースにはNVMe 1.3準拠のPCIe Gen 3 ×2を採用している。

» 2020年02月05日 09時00分公開

[ITmedia]

　Transcend Informationは2020年1月、BiCS4 3D TLC NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。フォームファクターにはM.2 2242、インタフェースにはNVM Express（NVMe） 1.3準拠のPCI Express（PCIe）Gen 3 ×2を採用している。

産業用SSD「MTE452T」シリーズ

データ書き換え耐性は3000回

　96層の3D NANDフラッシュメモリを採用したことで、64層品よりも高いストレージ効率を有する。DRAMキャッシュによる高速アクセスが可能で、データ書き換え耐性は2D MLCと同等の3000回を保証する。NVMコマンドに対応し、エラー訂正機能「LDPC ECC」も搭載している。

　サイズは42×22×3.58mmで、重量は5g。容量は64G～512Gバイトをラインアップしている。シーケンシャル読み取り速度は最大1700Mバイト/秒、同書き込み速度は最大1250Mバイト/秒で、ランダム読み取り速度は最大20万IOPS（Input Output Per Second）、同書き込み速度は最大25万IOPS。MTBF（平均故障間隔）は300万時間で、TBW（総書込み容量）は最大1080Tバイトだ。

　高い耐久性と高速なデータ通信を必要とするアプリケーションでの利用を見込む。2020年1月から問い合わせに対応するが、産業用カスタマイズ製品のため市販はしない。

大容量データを保存できる4MビットEEPROM
STマイクロエレクトロニクスは、大容量データを保存可能な4MビットEEPROM「M95M04」を発表した。膨大なデータを取得、保存できる上、低消費電力で電力効率に優れる。データ保持期間は40年で、400万回以上書き込み可能だ。
バックアップ機能を備えた低コストEERAM
マイクロチップ・テクノロジーは、従来のシリアルNVRAMに対してコストを最大25％カットできるSPI EERAMメモリ製品ファミリーを発表した。電源供給が中断しても、外付けバッテリーなしでSRAMの内容を保持できる。
最大125℃の高温動作を保証する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット（256K×8ビット）FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。－40～＋125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。
供給不足を補うDDR3 DRAMモジュール
ATP Electronicsは、大容量の「ATP DDR3 8Gb DRAM」を搭載したDRAMモジュールを発表した。DDR4プラットフォームにアップグレードできないネットワークや組み込み機器に対応し、DDR3 DRAMの供給不足を補うことができる。
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。
NVMe規格に対応するPCIe接続SSD
ウエスタンデジタルは、NVMe規格に対応するPCIe接続SSDを発表した。PCIe Gen3 ×4 NVMeをベースとし、従来のSATA SSDの3倍以上となるシーケンシャル読み取り速度を可能にした。