メディア

低オン抵抗の2×2mmPQFNパッケージパワーMOSFET：インフィニオン OptiMOS 5 25V／30V

インフィニオンテクノロジーズは、パワーMOSFETの「OptiMOS 5 25V」「OptiMOS 5 30V」ファミリーを発表した。低いオン抵抗を特長とし、2×2mmPQFNパッケージの採用によりフットプリントを削減して、PCBの配線自由度を高める。

» 2022年04月05日 09時00分公開

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2022年3月、パワーMOSFETの「OptiMOS 5 25V」「OptiMOS 5 30V」ファミリーを発表した。既に販売を開始している。

パワーMOSFET「OptiMOS 5 25V」「OptiMOS 5 30V」ファミリー出所：インフィニオンテクノロジーズ

　両製品は、サーバやテレコムブリック、ポータブル充電、ワイヤレス充電などでのSMPS（スイッチドモード電源）の同期整流向けに最適化している。2×2mmと小型のPQFNをパッケージに採用しており、フットプリントが小さくなるため、プリント基板の配線自由度が高まる。また、電気的性能に優れ、最終製品の電力密度やフォームファクタの改善に寄与する。

　両製品は低いオン抵抗を特長とし、OptiMOS 5 25Vファミリーの「ISK024NE2LM5」はオン抵抗が最大2.4mΩ、OptiMOS 5 30Vファミリーの「ISK036N03LM5」は最大3.6mΩとなっている。

　動作温度範囲は、いずれも－55～＋150℃。鉛フリーめっきを用いており、RoHSに準拠した。

低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理などの同期整流に適する。
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。
サーバやテレコムの電源向け600V耐圧MOSFET
オンセミは、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源を可能にする。
4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ＆デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。
5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET
Nexperiaは、特定用途向けMOSFET（ASFET）として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166％拡大した。
低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。