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低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET：ビシェイ SiJH600E、SiJH800E

ビシェイ・インターテクノロジーは、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理などの同期整流に適する。

» 2022年03月03日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2022年1月、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理、電動工具アプリケーションの同期整流に適している。サンプルおよび製品は既に入手可能だ。

低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」出所：ビシェイ・インターテクノロジー

8.0×7.9×1.8mmの「PowerPAK 8x8L」パッケージ採用

　パッケージには、ボンドワイヤレス構造と機械ストレスの少ないガルウイングリードを採用した、8.0×7.9×1.8mmサイズの「PowerPAK 8x8L」を使用する。D²PAK製品と比べて、大きさを60％、厚みを57％削減している。

　SiJH600EとSiJH800Eのオン抵抗はそれぞれ、0.65mΩ、1.22mΩとし、通電時の電力損失を抑えて消費電力の削減に貢献する。同世代の「PowerPAK SO-8」デバイスと比べると、それぞれ54％、52％低い値だ。

　SiJH600Eのドレインソース間電圧は60Vで、連続ドレイン電流は373A、SiJH800Eのドレインソース間電圧は80Vで、連続ドレイン電流は288A。いずれも動作温度は＋175℃まで対応する。

過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC
東芝デバイス＆ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。
48V電源向けデュアルハイサイドゲートドライバ
インフィニオンテクノロジーズは、車載など48Vバッテリーシステム向けのデュアルチャンネルハイサイドゲートドライバ「EiceDRIVER 2ED4820-EM」を発表した。大電流負荷のスイッチングに適する。
サーバやテレコムの電源向け600V耐圧MOSFET
オンセミは、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源を可能にする。
高スイッチング周波数用途向け第6世代のMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリーを発表した。伝導損失とスイッチング損失の低減を両立し、部品の並列化を最小限に抑える。
42VシングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール
インターシルは、最大15Aの連続電流を可能にした、シングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール「ISL8215M」を発表した。コントローラ、MOSFET、インダクタ、受動部品を集積し、7～42Vのシングル入力電圧範囲で動作する。
センサーレス70WブラシレスDCモータードライバ
日本テキサス・インスツルメンツは、コーディング不要のセンサーレス70WブラシレスDCモータードライバ「MCF8316A」「MCT8316A」を発表した。高速応答と静音性能を必要とする家電や医療デバイスに適する。