サーバやテレコムの電源向け600V耐圧MOSFET：オンセミ SUPERFET V

オンセミは、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源を可能にする。

[EDN Japan]

　オンセミ（onsemi）は2021年12月、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。10％負荷条件においても、電力変換効率に関する規格「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源ユニットを可能にする。

600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリー

スイッチングトポロジーに合わせた3バージョン

　スイッチングトポロジーに合わせ、「FAST」「Easy drive」「FRFET（高速リカバリー）」の3バージョンを用意する。

　FASTバージョンは、ハイエンドPFCなどのハードスイッチングトポロジーに適する。ゲートチャージ（Qg）とEOSS損失を抑え、高速スイッチングが可能。オン抵抗41mΩの「NTNL041N60S5H」、オン抵抗185mΩの「NTHL185N60S5H」はTO-247パッケージで提供する。また、同じくオン抵抗185mΩの「NTP185N60S5H」は、TO-220パッケージで提供。Power88パッケージの「NTMT185N60S5H」は、ケルビンソース構成を採用し、ゲートノイズとスイッチング電力損失を改善している。

　Easy Driveバージョンは、ハードおよびソフトスイッチングトポロジーの両方に適する。ゲートソース電極間にオン抵抗120mΩ以上のツェナーダイオードを内蔵し、高いESD耐性を備える。オン抵抗99mΩの「NTHL099N60S5」、120mΩの「NTHL120N60S5Z」をTO-247パッケージで提供する。

　FRFETバージョンは、フェーズシフトフルブリッジ（PSFB）やLLCなどのソフトスイッチングトポロジーに適する。高速ボディダイオードを採用しており、QrrとTrrを抑えた。ツェナーダイオード内蔵の「NTP125N60S5FZ」は、オン抵抗125mΩで、TO-220パッケージで提供する。オン抵抗61mΩの「NTMT061N60S5F」は、Power88パッケージで提供。最も損失の少ない、オン抵抗19mΩの「NTHL019N60S5F」は、TO-247パッケージで提供する。