次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET:STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月、第3世代SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETを発表した。2021年内に量産レベルに達し、650V、750V、1200V耐圧製品を提供する予定だ。まずは650V耐圧の「SCT040H65G3AG」(5.00米ドル)と750V耐圧のベアダイ製品を提供する。
第3世代SiCパワーMOSFET 650V耐圧「SCT040H65G3AG」
新製品は、第3世代SiCプラットフォームを採用したプレーナ型MOSFETで、優れたトランジスタ効率、電力密度、スイッチング性能を備える。シリコン製品に比べてダイサイズに対する定格電圧が高く、高速ダイオードを内蔵するため、V2X(Vehicle-to-Everything)に必要な双方向の充放電が可能だ。
高いスイッチング周波数ながら、スイッチング損失と単位面積当たりのオン抵抗が低い。ジャンクション温度は最大200℃で、既存ICと互換性のあるゲートドライバを備える。
パッケージオプションとして、ベアダイ、ディスクリートパワーパッケージ(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L、HU3PAK)、パワーモジュール(ACEPACKファミリー)などを用意する。これらのパッケージには冷却タブなど特別な設計がなされており、電気自動車のベースプレートやヒートスプレッダーへの接続を容易にする。
電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載および産業用途に適している。例えば車載用では、トラクションインバーターやオンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、カーエアコン用コンプレッサーなどに対応。産業用では、モータードライブ、再生可能エネルギーシステム、通信やデータセンター用電源などでの利用を見込んでいる。
- 産業向け650V SiCショットキーダイオード
Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H(-J/-K/-L)」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧(VRRM)は650V、連続順方向電圧(IF)は10Aだ。
- 1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード
Littelfuseジャパンは、1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。
- 1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。
- EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。
- 窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。
- 還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を採用し、スイッチング損失を低減した。
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