パワートランジスタ内蔵の50W GaNコンバーター : STマイクロ VIPerGaN50
STマイクロエレクトロニクスは、650V耐圧のGaNパワートランジスタを内蔵する高電圧コンバーター「VIPerGaN50」を発表した。高効率のスイッチングが可能で、最大50W出力のフライバックコンバーターに適する。
STマイクロエレクトロニクスは2022年3月、650V耐圧のGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタを内蔵する高電圧コンバーター「VIPerGaN50」を発表した。最大50W出力のフライバックコンバーターに適する。現在量産中で、5×6mmのQFNパッケージで提供。1000個購入時の単価は約2.09米ドルとなる。
高電圧GaNコンバーター「VIPerGaN50」 出所:STマイクロエレクトロニクス
VIPerGaN50は、シングルスイッチのトポロジーを採用し、電流検出や保護回路を内蔵した高集積のGaNコンバーターだ。フライバックトランスにより高速スイッチングを可能にし、少ない外付け部品で高効率のスイッチング電源(SMPS)を設計できる。
動作モードを複数備え、ダイナミックブランキングタイム機能と調整可能なバレー同期遅延機能により、入力電源や負荷条件に関わらず、全体の効率を最大化する。
高負荷時には、ゼロ電圧スイッチング疑似共振動作が、ターンオン損失とEMI(電磁干渉)を最小限にする。低負荷時には、バレースキッピングとバレーロックで、スイッチング損失と可聴ノイズを抑える。負荷が極めて低い場合は、適応型バーストモード動作により、スタンバイ電力を30mW未満に抑え、損失を最小限にする。
また、フィードフォワード補正で、入力電圧範囲全体にわたって出力ピークの変動を最小限に留める。出力過電圧保護、ブラウンインおよびブラウンアウト保護、入力過電圧保護などのほか、サーマルシャットダウン、EMIを抑制するための周波数ジッタリング機能も備える。
電源アダプターやUSB PD(Power Delivery)対応充電器、生活家電、エアコン、LED照明、スマートメーター用の電源など、民生機器および産業機器に適する。
力率0.9以上の定電流フライバックIC
インフィニオン テクノロジーズは、LEDドライバ向けの定電流フライバックコンバーター「XDPL8210」を発表した。0.9以上の高い力率と15%を下回る全高調波歪(THD)、1次側調整機能を備える。
GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC
STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN(窒化ガリウム)FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。
150V GaN HEMTでの8V高ゲート耐圧技術を開発
ロームは、150V耐圧のGaN HEMTにおける8V高ゲート耐圧技術を開発した。定格電圧の増大により、電圧マージンもアップし、GaN HEMTを採用した電源回路の設計マージンや信頼性が高まる。
電力、効率が向上したGaNベースAC-DCコンバーターIC
パワー・インテグレーションズは、オフラインCV/CCフライバックスイッチング電源用IC「InnoSwitch3」ファミリーに、窒化ガリウム(GaN)をベースにしたAC-DCコンバーターICを追加した。
最大10kW対応の600V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。
650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用
トランスフォームは、同社の高電圧650V GaN(窒化ガリウム)FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC(力率改善)プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。
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