最大10kW対応の600V GaN FET：日本TI LMG341xファミリー

日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。

[EDN Japan]

　日本テキサス・インスツルメンツは2018年10月、100W以下〜10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN（窒化ガリウム） FET（電界効果トランジスタ）デバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。8×8mmのスプリットパッドQFNパッケージで供給され、1000個購入時の参考単価は「LMG3410R050」が18.69米ドル、「LMG3410R070」「LMG3411R070」が16.45米ドルとなる。

100ナノ秒以下の高速電流制限や過熱保護機能を搭載

　動作電圧600V、オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積した。動作が100ナノ秒以下の高速電流制限や過熱保護機能などを搭載し、貫通電流および短絡などに対する保護を提供する。

600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリー

　スイッチング周波数は1MHzで、スルーレート特性は最大100V/ナノ秒、シリコンベースのMOSFETに比べて損失を80％削減する。伝搬遅延時間は20ナノ秒、動作温度は−40〜125℃となる。

　加速テストやアプリケーション内でのハードスイッチングテストなど、2千万時間のデバイス信頼性テストで検証済みで、高いシステム信頼性を提供する。特にLMG3411R070は、サイクルバイサイクル過電流保護機能を搭載している。

　同社では、AC-DC電源、ロボティクス、再生可能エネルギー、グリッドインフラストラクチャ、通信、パーソナルエレクトロニクス製品などでの用途を見込む。