京都セミコンダクターは、深紫外線センシング向けに、GaNタイプのUVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」「KPDU086SU31-H11Q」を開発した。フィルターを介さずにセンサーの受光部で直接受光でき、感度が向上した。
京都セミコンダクターは2023年2月、深紫外線センシング向けに、GaN(窒化ガリウム)タイプのUVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」「KPDU086SU31-H11Q」を開発したと発表した。同年4月28日より、量産を開始する。
紫外線の特定の波長域に感度を有するGaNを採用し、フィルターを介さずにセンサーの受光部で直接受光できるようにした。同社によると、Si(シリコン)タイプのUVセンサーに比べ、約3倍の感度を得られる。
受光サイズは0.86×0.86mmで、検出波長は200〜320nm(KPDU086SU27-H11Qは290nm)。UV-BおよびUV-Cに限定した波長領域に感度を持ち、食品工場や浄水関連機関、医療機関で用いる殺菌ランプの紫外線光量モニター、オゾン検出光源の光量モニターなどに適する。
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