耐圧100V/150V/650Vのeモード構成パワーGaN FET：Nexperiaが7種類を発表

Nexperiaは、低電圧および高電圧のアプリケーション向けに、eモードで構成したパワーGaN FET7種を発表した。同社が既に提供しているカスコードモードのGaN FETと合わせて、設計者にGaN FETの最適な選択肢を提供する。

» 2023年05月24日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2023年5月、低電圧（100/150V）および高電圧（650V）のアプリケーション向けに、eモード（エンハンスメントモード）で構成したパワーGaN FET7種を発表した。

eモードGaN FET 出所：Nexperia

　RDS（on）値は、650V品が80m～190mΩ、100V品が3.2mΩ、150V品が7mΩとなっている。650V品はパッケージに5×6mmまたは8×8mmのDFN、100V品はWLCSP8、150V品はFCLGAを採用した。

GaN採用でスイッチング性能が向上

　eモードGaN FETは、非常に低いQgとQOSS値により、スイッチング性能が向上。低オン抵抗により、電力効率の高い設計ができる。

　650V品はデータ通信機器やソーラー発電、コンシューマー向け充電器、産業向けアプリケーションなど、100Vおよび150V品はデータセンター用DC-DCコンバーターやeモビリティなどの充電、LiDARトランシーバーなどでの用途に適する。

　同社は、高電圧および高出力電源アプリケーション向けに、カスコードモードのGaN FETも以前より提供している。今回発表した製品群は、同社の200mmウエハー対応工場にて量産する。

24Vボードネット向けESD保護デバイス、Nexperia
Nexperiaは、24Vボードネット向けの車載ネットワークESD保護デバイス「PESD2CANFD36XX-Q」を発表した。24Vボードネットを用いるトラックや商用車といった用途に適する。
低キャパシタンスの車載向けESD保護ダイオード
Nexperiaは、車載向けに超低クランプ電圧、超低キャパシタンスのESD保護ダイオード4製品を発表した。USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、車載モニター、ディスプレイ、カメラなどの高速データラインに適する。
USB4対応ESD保護デバイス2製品
Nexperiaは、USB4対応ESD保護デバイス「PESD2V8Y1BSF」「PESD4V0Y1BCSF」を発表した。高速データライン上における、リタイマーやリドライバー向けに最適化されている。
DFNパッケージ封止のディスクリート製品
Nexperiaは、SWFのリードレスDFNパッケージに封止した、ディスクリート製品を拡充した。SOT23パッケージと比較して最大90％小型化でき、電子部品に必要な基板スペースを節減できる。
産業向け650V SiCショットキーダイオード
Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H（-J/-K/-L）」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧（VRRM）は650V、連続順方向電圧（IF）は10Aだ。