ルネサス エレクトロニクスは、DDR5メモリモジュール向けに、第3世代RCD ICと第1世代CKD ICを発表した。サーバ用とクライアント用DIMMの6400MT/秒、7200MT/秒をサポートする。
ルネサス エレクトロニクスは2023年6月、DDR5メモリモジュール向けに、第3世代のレジスタードクロックドライバー(RCD)IC「RG5R364A0C0GBY#BC0」「RG5R364A0C0GBY#HC0」と、第1世代のクライアントクロックドライバー(CKD)IC「RG5C172B0C0GBX#BC0」「RG5C172B0C0GBX#HC0」を発表した。サーバ用とクライアント用DIMMの6400MT(メガトランスファー)/秒をサポートする。
RCDは、DRAMモジュールとホストコントローラー間のコマンドアドレスバスやクロック、チップセレクトをバッファーする。第3世代品は、サーバ用のレジスタードDIMM向けに設計。メモリのデータ転送速度は最大6400MT/秒で、第2世代品の5600MT/秒から向上している。
DFEタップを4から6に増加してレシーバーのマージンを改善することで、DFE(判定帰還型イコライザー)のサポートを強化した。また、I2CやI3Cサイドバンドバスもサポートしており、レジスターアクセス制御に直接的にコンタクトできる。
CKDは、DRAMチップとホストコントローラー間のクロックをバッファーし、クライアント向けのスモールアウトラインDIMMやゲーミングDIMM、バッファーなしDIMM、メモリダウンなどの用途に適する。最大7200MT/秒に対応するほか、I2CやI3Cサイドバンドアクセスをサポートしていて、非同期制御が可能だ。内部制御語へのアクセスも提供する。
パッケージは、第3世代RCDが8.7×13.5mmのFCCSPを、CKDが2.3×5.8mmの35ピンFCBGAを採用した。ともにサンプル提供を開始していて、第3世代RCDは2024年上期、CKDは2023年下期に量産開始の予定だ。
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