ターンオフ損失が前世代品比で半減したSiC MOSFET：オンセミ（onsemi） EliteSiC M3e MOSFET

オンセミ（onsemi）は、同社のSiC（炭化ケイ素）プラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。既にTO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。

» 2024年08月06日 09時00分公開

[EDN Japan]

　オンセミ（onsemi）は2024年7月、同社のSiCプラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。TO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。

SiCプラットフォーム「EliteSiC M3e MOSFET」出所：オン・セミコンダクター

　同プラットフォームでは、同社前世代品と比較して導通損失が30％、ターンオフ損失が最大50％低減した。EV（電気自動車）のパワートレインやDC急速充電器、エネルギー貯蔵機器、ソーラーインバーターなどでの用途に適する。

出力電力が約20％増加

　相電流も増加していて、前世代品と同一のトラクションインバーターハウジングを用いる場合に出力電力が約20％増加。同じ出力電力とする場合は、SiCの含有量を20％低減できる。

　さらに同プラットフォームの発表と併せて、2030年までに複数世代にわたるプラットフォームを販売する計画を公表した。

「EliteSiC M3e MOSFET」のウエハー出所：オン・セミコンダクター

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