定格電圧750V、オン抵抗4mΩのSiC JFET：Qorvo UJ4N075004L8S

Qorvoは、750Vでオン抵抗が4mΩのSiC JFET「UJ4N075004L8S」を発表した。半導体回路ブレーカーなどの回路保護用途向けに設計され、TOリードレスパッケージで提供される。

[EDN Japan]

　Qorvoは2024年9月、定格電圧750Vでオン抵抗が4mΩのSiC（炭化ケイ素） JFET（接合型電界効果トランジスタ）「UJ4N075004L8S」を発表した。既にサンプルを提供中で、同年10〜12月に量産を開始する予定だ。

SiC JFET「UJ4N075004L8S」 出所：Qorvo

半導体回路ブレーカーなどの回路保護用途向け

　UJ4N075004L8Sは、半導体回路ブレーカーなどの回路保護用途向けに設計され、TOリードレス（TOLL）パッケージで提供される。TOLLパッケージによって同製品は競合製品よりも40％小型化したという。

　オン抵抗が4mΩと650〜750Vクラスの電力デバイスの中では非常に低いため、発熱が大幅に抑えられる。競合するSi MOSFET、SiC MOSFET、GaNトランジスタと比べても、オン抵抗は約4分の1〜10分の1と低く、高効率と電力損失の低減を図っている。

　定格750Vは代替技術よりも100〜150Vほど高く、設計マージンを向上させる。接合部からケースへの熱抵抗が0.1℃/Wで、効果的な放熱ができる。ケース温度が144℃で120A DC、パルス電流は588A（0.5ミリ秒）と電流定格が高く、過渡的な過負荷に対する堅牢性と耐性を持つ。

　同社のJFETは非常に堅牢で、回路障害時に非常に高い突入電流でオフにできる特性を備えるとしている。瞬間的な接合温度の上昇にも耐え、劣化やパラメーターの変動を防ぐという。常時オンの特性を持ち、デフォルトでスイッチがオン状態にあり、障害時にはオフに切り替わるシステムへシームレスに統合できる。