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低オン抵抗、低損失の40V GaNトランジスタ、EPC：第7世代「eGaN」

EPCの第7世代eGaNトランジスタは低オン抵抗と優れた性能指数により、電力損失と発熱を低減し高効率電源設計を可能にする製品である。

» 2026年03月17日 12時30分公開

[EDN]

　EPCの第7世代「eGaN」パワートランジスタの第1弾となる40V対応「EPC2366」は、同等のシリコンMOSFETと比べて最大3倍優れた性能を発揮するという。

　既に量産段階に入っていて、標準RDS（ON）が0.84mΩ、最適化されたRDS（ON）×QG性能指数は12.6mΩ・nC。これによってEPC2366は導通損失およびスイッチング損失を低減しながら、熱特性を向上できるとしている。

[クリックで拡大] 出所：Efficient Power Conversion（EPC）

　EPC2366は、高効率かつ高電力密度の電源システム向けに設計されていて、同期整流回路、DC-DCコンバーター、AIサーバ向け電源、モータードライブなどに適している。ドレイン‐ソース間電圧（VDS）は最大40V、過渡電圧は最大48V、連続ドレイン電流（ID）は88Aで、パルス電流は最大360Aに達する。

　設計導入や評価を支援するため、ハーフブリッジ開発ボード「EPC90167」には、寄生インダクタンスを抑えたレイアウトで2個のEPC2366トランジスタが統合されていて、PWM駆動信号および柔軟な入力モードに対応している。

　EPC2366は3.3×2.6mmの小型PQFNパッケージで提供され、3000個購入時の単価は1.56米ドル。EPC90167開発ボードは1台当たり211.65米ドルで入手可能だ。

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