SiC採用のための電源回路シミュレーション
「SiC採用のための電源回路シミュレーション」の連載記事一覧です。
SiC採用のための電源回路シミュレーション（3）：
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路の回路シミュレーションを実行する際は、設計したプリント基板の配線レイアウトを解析し、その寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを分布定数として高精度で抽出する必要がある。
【佐々木広明／橋本憲良（キーサイト・テクノロジー） , EDN Japan】()
SiC採用のための電源回路シミュレーション（2）：
SiCパワーMOSFETのデバイスモデルの精度向上には、「大電流／高電圧領域のId-Vd特性」および「オン抵抗の温度依存性」を考慮しデバイスモデルに反映させることも重要となる。今回はこの2点に関する解説を行う。
【谷川博章／橋本憲良（キーサイト・テクノロジー） , EDN Japan】()
SiC採用のための電源回路シミュレーション（1）：
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。
【谷川博章／橋本憲良（キーサイト・テクノロジー） , EDN Japan】()
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