高精度・低ドリフトのシャント抵抗を集積した電流センス・アンプ：日本TI INA250

日本テキサス・インスツルメンツが発表した電流センス・アンプ「INA250」は、高精度・低ドリフトのシャント抵抗を集積し、広い温度範囲にわたって高精度で計測可能。コストを最大76％削減し、基板実装面積を最大66％縮小できるという。

[EDN Japan]

　日本テキサス・インスツルメンツは2015年7月、高精度・低ドリフトのシャント抵抗を集積し、広い温度範囲にわたって高精度で計測できる電流センス・アンプ「INA250」を発表した。双方向のゼロ・ドリフト電流センス・アンプを集積し、ローサイド（低電圧側）とハイサイド（高電圧側）の両方に実装できる。

　INA250は、2mΩのシャント抵抗を内蔵。−40℃〜125℃の温度範囲で0.1％の精度と15ppm/℃の低ドリフト特性を発揮する。アンプのオフセット電流は12.5mA、オフセット温度ドリフトは250μA/℃、ゲイン・ドリフトは30ppm/℃。

コストを最大76％、基板実装面積を最大66％減らす

　高精度と低ドリフト特性により、多くのシステムで設計者の較正作業を削減、または不要にする。シャント抵抗を集積したことで、コストを最大76％削減し、基板実装面積を最大66％縮小できるという。

電流センス・アンプ「INA250」

　さらに統合パッケージ・テクノロジにより、IC（集積回路）とシャント抵抗の間で最適なケルビ接続が可能になる。電源電流が300μA（最大値）と低いことから、最小限の電源負荷で高精度の計測を可能にしている。

　単価は1000個受注時1.4ドル（参考価格）からで、5mm×6.4mmのTSSOPパッケージで供給する。