低消費電力の1.8V デュアルチャンネルバッファ：IDT 8P34Sバッファファミリー

IDTは、LVDSデュアルチャンネルファンアウトバッファ「8P34Sバッファファミリー」の4製品を発表した。1.8V製品は、高周波クロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にした。

» 2016年12月21日 09時00分公開

[EDN Japan]

LVDSクロックファンアウトバッファIC「8P34S」ファミリーの1.8V製品

　IDTは2016年11月、低消費電力のLVDSクロックファンアウトバッファIC「8P34S」ファミリーに、電源電圧1.8Vの4製品を追加した。アディティブ位相ジッタは45フェムト秒未満で、高周波のクロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にした。

　新製品は、各デバイスに独立したバッファチャンネルを2つ搭載し、最大8つの低スキュー出力を実現。チャンネル間を効果的に絶縁することで、ノイズの影響を最小限に抑えた。伝搬遅延などのAC特性は、チャンネル間で最適化している。

　競合製品に比べて電力は最大で50％低減し、クロック性能を維持しながら省電力での基板設計に対応する。これらのバッファにより、エンジニアはサブミクロンのシリコンプロセスを支援する低電圧化へ移行できるという。

　また、2つの異なる信号入力に対応し、同期を維持しつつバッファリングする。1つのチャンネルをクロックに使用し、もう1つのチャンネルを同期信号やデータに使用すると、JESD204BのデバイスクロックとシステムのSYSREF信号の分配に適用できる。

動作電流を5μAに低減したアナログコンパレーター
STマイクロエレクトロニクスは2016年11月、デュアル／クアッド型の16V CMOSアナログコンパレーターを発表した。コンパレーター当たりの標準動作電流を5μAに低減しているという。
定インピーダンス技術搭載のSPST吸収型RFスイッチ
IDTは、コンスタントインピーダンス技術を搭載した広帯域SPST（単極単投）吸収型RFスイッチ「F2910」を発表した。線形性に優れ、挿入損失が低く、多様な無線およびRF用途に向く。
新しいMEMS技術を実用化したRFスイッチ
アナログ・デバイセズは2016年11月、新しいMEMSスイッチ技術を開発し、この技術に基づいて実用化したRF MEMSスイッチ「ADGM1304」「ADGM1004」を発表した。自動試験装置（ATE）や、その他の測定機器の精度と多様性を大幅に向上させるという。
RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール新製品
アナログ・デバイセズは2016年9月、RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール「HMC-C582」「HMC-C583」「HMC-C584」「HMC7891」を発表した。全ての機能が統合された密閉式モジュールで、製品を設計する際の試作・実験プロセスを短縮するという。