30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET：トレックス XP231N0201TR

トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。

» 2020年01月15日 09時00分公開

[EDN Japan]

　トレックス・セミコンダクターは2019年12月、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。現在量産中で、参考価格は100円（税別）。低オン抵抗、高速スイッチング特性を可能にしている。

汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」

ゲート保護ダイオードを内蔵

　XP231N0201TRは、静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。オン抵抗は5.0Ω、駆動電圧は2.5V。ゲートソース間電圧（VGSS）は±20V、ドレイン電流（DC）は0.2Aとなる。

　ターンオン遅延時間は7ナノ秒、ターンオフ遅延時間は20ナノ秒、立ち上がり時間（tr）は5ナノ秒、立ち下がり時間（tf）は8ナノ秒。ジャンクション温度は150℃、保存温度は－55～＋150℃。

　パッケージは2.9×2.4×1.15mmのSOT-23（TO-236）を採用している。ピン数は3で、EUのRoHS指令、Pbフリー対応。リレー回路、スイッチング回路などの用途を見込む。

低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
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